[发明专利]免疫抑制性间充质细胞及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201780080863.6 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN110121553A 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: H·沃博马;M·卡奈;G·武尼亚克-诺瓦科维奇 申请(专利权)人: 纽约哥伦比亚大学董事会
主分类号: C12N5/0775 分类号: C12N5/0775;A61K35/28;A61P37/06
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 免疫抑制性 间充质基质细胞 外来体 分泌 制备 间充质细胞 试剂盒 施用 预防 治疗
【权利要求书】:

1.一种用于制备免疫抑制性间充质基质细胞的方法,其包括:

在体外缺氧培养条件下将促炎细胞因子施加至间充质基质细胞。

2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述间充质基质细胞暴露于所述缺氧培养条件1小时至48小时。

3.根据权利要求1所述的方法,其中将所述间充质基质细胞暴露于所述缺氧培养条件24小时。

4.根据权利要求1所述的方法,其中将所述间充质基质细胞暴露于所述缺氧培养条件48小时。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述促炎细胞因子选自由IL-1α、IL-1B、TNF-α、IFN-γ、IL-6、IL-12、IL-17、和IL-23组成的组。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述促炎细胞因子为IFN-γ。

7.根据权利要求6所述的方法,其中IFN-γ的浓度为0.1ng/mL至100ng/mL。

8.根据权利要求6所述的方法,其中IFN-γ的浓度为1ng/mL至10ng/mL。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述缺氧培养条件包括将所述间充质基质细胞暴露于37℃、5%CO2、和约1%O2至约5%O2

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述缺氧培养条件包括将所述间充质基质细胞暴露于37℃、5%CO2、和1%O2

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述缺氧培养条件包括将所述间充质基质细胞暴露于缺氧模拟物。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述缺氧模拟物选自由去铁胺、氯化钴、肼屈嗪、氯化镍、二氮嗪、和二甲基草酰甘氨酸组成的组。

13.根据权利要求11所述的方法,其中所述缺氧模拟物的浓度为50μM至200μM。

14.根据权利要求1至13任一项所述的方法,其进一步包括在暴露于所述促炎细胞因子和所述缺氧培养条件后分离从所述间充质基质细胞分泌的外来体的步骤。

15.一种用于制备免疫抑制性间充质基质细胞的方法,其包括:

获得分离自来源的间充质基质细胞;和

在缺氧培养条件下将促炎细胞因子施加至所述间充质基质细胞。

16.根据权利要求15所述的方法,其中所述来源选自由脂肪组织、脐带、骨髓、牙龈、和iPSC组成的组。

17.根据权利要求15所述的方法,其中将所述间充质基质细胞暴露于所述缺氧培养条件1小时至48小时。

18.根据权利要求15所述的方法,其中将所述间充质基质细胞暴露于所述缺氧培养条件24小时。

19.根据权利要求15所述的方法,其中将所述间充质基质细胞暴露于所述缺氧培养条件48小时。

20.根据权利要求15所述的方法,其中所述促炎细胞因子选自由IL-1α、IL-1B、TNF-α、IFN-γ、IL-6、IL-12、IL-17、和IL-23组成的组。

21.根据权利要求15所述的方法,其中所述促炎细胞因子为IFN-γ。

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