[发明专利]发光器件和光照器件有效
申请号: | 201780082499.7 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN110291640B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | A.G.范德西德;Q.范伍尔斯特瓦德;N.普菲菲尔 | 申请(专利权)人: | 亮锐有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/00;G03B15/03 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 江鹏飞;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 光照 | ||
1.一种发光器件,包括:
管芯,包括由多个沟槽分离的多个可单独寻址的区段,每个区段包括被配置成发射辐射的半导体结构;
与所述管芯耦合的波长转换层,所述波长转换层具有包含磷光体的粘合剂材料,所述磷光体的密度将从所述波长转换层射出的辐射能量与照射在所述波长转换层上的辐射能量的比率限制为小于10%;和
设置在所述波长转换层上方的散射层,所述散射层包括分隔,所述分隔不完全切穿所述散射层并且与所述沟槽垂直对准,使得所述分隔设置在所述区段之间。
2.根据权利要求1所述的器件,其中所述粘合剂中的所述磷光体的浓度接近每体积80%。
3.根据权利要求1或2所述的器件,其中所述磷光体细粒的尺寸范围从1μm到50μm的中间值。
4.根据权利要求1或2所述的器件,其中所述波长转换层包括不同的磷光体,在考虑到从所述波长转换层射出的所述辐射的量的情况下,所述不同的磷光体一起产生转换光的期望的色点或目标光谱。
5.根据权利要求1或2所述的器件,其中每个区段的厚度小于所述区段的长度的1/3。
6.根据权利要求1或2所述的器件,其中所述波长转换层包括分隔,所述分隔不完全切穿所述波长转换层并且与所述沟槽垂直对准,使得所述分隔设置在所述区段之间。
7.根据权利要求6所述的器件,其中所述分隔形成在所述波长转换层与面向所述管芯的所述波长转换层的表面相对的表面中。
8.根据权利要求1或2所述的器件,其中所述散射层包括设置在光学透明材料中的关闭状态白色材料的颗粒,以提供对由所述多个可单独寻址的区段发射的光的散射,并且当所述多个可单独寻址区段未被激活时为所述多个可单独寻址区段提供白色外观。
9.根据权利要求1所述的器件,其中所述分隔形成在所述散射层与面向所述波长转换层的所述散射层的表面相对的表面中。
10.根据权利要求1或2所述的器件,进一步包括:
衬底,所述可单独寻址的区段设置在所述衬底上,
其中所述波长转换层通过所述衬底与所述可单独寻址的区段耦合,
其中每个可单独寻址的区段包括n层、p层和有源层,
其中所述可单独寻址的区段由多个接触部电驱动,使得对于每个可单独寻址的区段,唯一的n接触部接触所述n层,并且唯一的p接触部接触所述p层,并且
其中所述沟槽穿过所述p层、所述有源层和所述n层的至少一部分形成。
11.一种光照器件,包括:
第一发光结构,包括:
第一管芯,包括由第一多个沟槽分离的第一多个可单独寻址的区段,所述第一多个可单独寻址的区段中的每一个包括被配置为发射第一辐射的第一半导体结构,和
与所述第一管芯耦合的第一波长转换层,所述第一波长转换层具有包含磷光体的粘合剂材料,所述磷光体的密度将从所述第一波长转换层射出的第一辐射能量与照射在所述第一波长转换层上的第一辐射能量的比率限制为小于10%;
包括第二管芯的第二发光结构,所述第二管芯包括由第二多个沟槽分离的第二多个可单独寻址的区段,所述第二多个可单独寻址的区段中的每一个包括被配置为发射第二辐射的第二半导体结构;和
第一散射层,设置在第一波长转换层或第二波长转换层中的一个的上方,所述第一散射层通过分隔被部分分割,所述分隔形成在所述第一散射层与面向所述第一或第二波长转换层中的所述一个的所述第一散射层的表面相对的表面中,并且所述分隔不完全切穿所述第一散射层,并且所述分隔形成在所述第一或第二多个可单独寻址的区段中的所述一个的相邻区段之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亮锐有限责任公司,未经亮锐有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780082499.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的