[发明专利]发光器件和光照器件

说明书

描述了一种分割光或光学功率发射器件和光照器件。分割器件包括具有光或光学功率发射半导体结构的管芯，该光或光学功率发射半导体结构包括设置在n层和p层之间的有源层。沟槽形成在至少半导体结构中并将该管芯分离成可单独寻址的区段。有源层发射具有第一色点或光谱的光或光学功率。至少一个波长转换层与管芯相邻，并将光或光学功率转换为具有至少一个第二色点或光谱的光或光学功率，并且将未被转换的、穿过至少一个波长转换层的泵浦光或光学功率与由光或光学功率发射器件发射的总光或光学功率的能量比限制为小于10%。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年11月7日提交的美国临时专利申请第62/418447号、2017年11月5日提交的美国非临时专利申请第15/803803号的权益，其通过引用并入，如同完全阐述一样。

背景技术

包括发光二极管、谐振腔发光二极管、垂直腔激光器二极管和边缘发射激光器的半导体发光器件或光学功率发射器件（诸如发射紫外（UV）或红外（IR）光学功率的器件）属于当前可用的最高效的光源。由于其紧凑的尺寸和较低的功率要求，例如，半导体光或光学功率发射器件（为了简单起见，本文称为LED）是用于手持电池供电器件（诸如相机和手机）的光源（诸如相机闪光灯）的有吸引力的候选者。它们还可以用于摄像机的手电筒、以及用于诸如家庭、商店、办公室和工作室照明、剧院/舞台照明和建筑照明的一般光照。单个LED经常提供比典型光源更不明亮的光，并且因此，LED的阵列经常用于这样的应用。

发明内容

描述了一种分割的光或光学功率发射器件和光照器件。该分割器件包括具有光或光学功率发射半导体结构的管芯，该光或光学功率发射半导体结构包括设置在n层和p层之间的有源层。沟槽形成在至少半导体结构中并将管芯分离成可单独寻址的区段。有源层发射具有第一色点或光谱的光或光学功率。至少一个波长转换层与管芯相邻，并将光或光学功率转换为具有至少一个第二色点或光谱的光或光学功率，并且将未被转换的、穿过至少一个波长转换层的泵浦光或光学功率与由光或光学功率发射器件发射的总光或光学功率的能量比限制为小于10%。

附图说明

图1A是提供跨三个可寻址区段截取的示例分割LED的截面的视图的示意图，该示例分割LED具有在所有区段上方的单个完全转换波长转换层；

图1B是提供跨三个可寻址区段截取的示例分割LED的截面的视图的示意图，该示例分割LED具有不是完全光学密封的并且分别设置在一个或多个区段上方的单独的完全转换波长转换层；

图1C是提供跨三个可寻址区段截取的示例分割LED的截面的视图的示意图，该示例分割LED具有被部分地分割并且设置在所有区段上方的单个完全转换波长转换层；

图1D是提供跨三个可寻址区段截取的示例分割LED的截面的视图的示意图，该示例分割LED具有散射或关闭状态白色层覆盖物；

图1E是提供跨三个可寻址区段截取的示例分割LED的截面的视图的示意图，该示例分割LED具有部分分割的散射或关闭状态白色层覆盖物；

图1F是提供跨三个可寻址区段截取的示例分割定向蓝色LED的截面的视图的示意图；

图2是示例智能电话的背面的示意图；

图3A和3B是包括双分割LED的示例闪光灯模块的示意图；

图3C是包括三个分割LED的示例闪光灯模块的示意图；

图4是用于诸如智能电话相机的相机中的示例成像系统的框图；

图5是操作一个或多个分割LED的示例方法的流程图，其中由区段输出的光或光学功率在距所述一个或多个LED的短距离处被混合；

图6A、6B、6C和6D是示出菲涅耳透镜的不同布置的示例成像系统的示意图，该菲涅耳透镜用于将一个或多个分割LED的一个或多个图像投射到待被拍摄的场景上；