[发明专利]用于判断缺陷质量的方法和设备在审

专利信息
申请号: 201780083330.3 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN110178019A 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: B.费尔德曼;菅谷胜哉;田畑让;山本茂 申请(专利权)人: 奥博泰克有限公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;H01L21/02;H01L21/312
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 李芳华
地址: 以色列*** 国省代码: 以色列;IL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 图像 高度信息 检查对象 三维信息 锐度 光学图像装置 方法和设备 透明薄膜 相邻像素 像素位置 亮度差 多层 像素
【说明书】:

用于判断缺陷质量的方法包括:通过光学图像装置(22)在包括多层透明薄膜(1,2,3,4,5,6)的检查对象(10)的高度方向上、以预定步长获取多个图像;根据所述多个图像的每个像素与相邻像素的亮度差,来计算部分图像的锐度;根据所述多个图像的所有图像中相同像素位置处的锐度的计算结果最大的图像编号,计算所述部分图像的高度信息;从计算所述高度信息中获得所述所有图像的三维信息;和基于所述三维信息,判断所述检查对象的缺陷质量。

技术领域

本发明涉及一种用于判断缺陷质量的方法和设备,其通过以下操作来判断缺陷质量:测量在检查对象(诸如使用多层薄膜的半导体晶片、和借助于光学图像装置制造的薄膜晶体管显示器件)中出现的缺陷高度信息,并指定缺陷出现位置和缺陷出现层的高度信息。

背景技术

在制造使用多层薄膜的半导体晶片、薄膜晶体管显示器件等时,通过使用光刻法形成细小图案。在这些制造过程中,由于各种因素而发生诸如图案异常和针孔的缺陷,并且导致产量降低。为了通过管理这些制造过程并消除产量降低的因素来提高制造效率,执行检查发生的缺陷并指定这些因素的工作。

在这样的制造过程中连续形成多个层的处理中,存在不能检查图案异常、针孔等的情况。因此,作为唯一的手段,必须在形成最终层之后检查缺陷,并从缺陷高度位置信息指定出现缺陷的处理。例如,在密封柔性有机电致发光(EL)的处理中,使用通过多层层压诸如氮化硅的无机薄膜和诸如聚酰亚胺的有机薄膜、来防止大气中的氧气和水分进入设备的技术。然而,在每层中存在细小针孔对于设备的寿命是至关重要的。特别是,必须精确地测量在不同层中出现的针孔接近存在的位置,并判断产品的质量。然而,这些层的形成需要在真空或氮气环境中执行短时间,并且不能通过在处理的中间停止来检查对象。

图1示出了典型的柔性有机EL显示器件的横截面结构,并且有机EL通过电路图案1发光。电路图案1形成在基底材料上,该基底材料包括第一基底材料5和第二基底材料6,并由透明膜密封,该透明膜包括第一密封层(无机膜)2、第二密封层(有机膜)3和第三密封层(无机膜)4。通常,第一密封层2和第三密封层4是氮化硅膜,其是无机材料,并且通过化学气相沉积(CVD)形成。作为有机材料的聚酰亚胺用于第二密封层3,并且通过使用例如喷墨印刷设备形成第二密封层3。第一基底材料5是透明基板。例如,将诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚碳酸酯(PC)的树脂基板用于第一基底材料5。

图2示出了在形成密封层(例如,作为有机材料或无机材料的密封透明膜)的过程中在密封层4中出现两个针孔7A和7B的状态。针孔7A和7B存在于氮化硅膜的第三密封层4中。即使空气中的氧(O2)和水(H2O)透过聚酰亚胺膜,空气中的氧(O2)和水(H2O)也被第一密封层2(氮化硅膜)拦截。然后,位于针孔7A和7B正下方的EL器件不会立即损坏,针孔7A和7B对于有机EL显示器件来说不是至关重要的缺陷。

另一方面,图3示出了在柔性有机EL显示器件的形成过程中、作为缺陷的针孔8A和8B类似地存在于第一密封层2和第三密封层4的各个氮化硅膜的邻近部分(作为垂直方向的轴)的状态。在这种情况下,氧气和水从密封层4的与空气接触的针孔8A进入,随着时间的推移透过聚酰亚胺膜(密封层3)。最后,氧气和水到达密封层2的针孔8B,并且针孔8B正下方的EL器件被损坏。通过以这种方式损坏EL器件而缩短有机EL显示器件的寿命对于显示器件是至关重要的。

如有机EL示例所述,需要判断显示器件的密封层上的缺陷(例如,针孔和杂质)对于如图3所示的显示器件是否是至关重要的。然而,由于密封层的厚度为几μm,因此必须通过亚μm级的分辨率来测量缺陷的高度。作为满足这种精确测量精度的技术,例如,已知通过使用激光的三角测量方法的距离测量设备、和白光干涉仪(日本未审专利公开第2013-19767A号(专利文献1))、共焦显微镜(日本未审专利公开第2012-237647A号(专利文献2))等。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥博泰克有限公司,未经奥博泰克有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780083330.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code