[发明专利]基体保护膜、附着防止构件及附着防止构件的形成方法

权利要求书

1.一种基体保护膜，是降低物质向基体的表面附着的基体保护膜，所述基体保护膜的特征在于，

所述基体保护膜由在Ti、Si的氧化物中掺杂金属而具有静电排斥力的第一层、以及对表面自由能进行控制的第二层构成，所述第一层形成于所述基体表面上，所述第二层形成于该第一层的表面上，

所述第二层由50mJ/m²以下的低表面自由能的官能团形成，该第二层的厚度小于1nm。

2.根据权利要求1所述的基体保护膜，其特征在于，所述官能团为作为自组装单分子膜的甲基或者己基。

3.根据权利要求1所述的基体保护膜，其特征在于，所述官能团为由烷基、亚烷基、苯基、苄基、苯乙基、羟基苯基、氯苯基、氨基苯基、萘基、氨茴基、芘基、噻吩基、吡咯基、环己基、环己烯基、环戊基、环戊烯基、吡啶基、氯甲基、甲氧基乙基、羟乙基、氨基乙基、氰基、巯基丙基、乙烯基、丙烯酰氧基乙基、甲基丙烯酰氧基乙基、环氧丙氧基丙基、或者乙酰氧基形成的烃系的疏水基。

4.根据权利要求1所述的基体保护膜，其特征在于，所述官能团为由氟代烷基、氟代亚烷基、氟代苯基、氟代苄基、氟代苯乙基、氟代萘基、氟代氨茴基、氟代芘基、氟代噻吩基、氟代吡咯基、氟代环己基、氟代环己烯基、氟代环戊基、氟代环戊烯基、氟代吡啶基、氟代甲氧基乙基、氨基氟乙基、氟乙烯基、或者氟乙酰氧基形成的氟化物系的疏水疏油基。

5.根据权利要求1所述的基体保护膜，其特征在于，掺杂金属为从由金、银、铂、铜、锆、锡、锰、镍、钴、铁、锌、碱金属、以及碱土金属构成的组中选择的至少一种金属元素。

6.一种附着防止构件，其通过在玻璃制成或者树脂制成的基体的表面上形成有权利要求1～5中任一项所述的基体保护膜而成。

7.一种附着防止构件的形成方法，其是权利要求6所述的形成有基体保护膜而成的附着防止构件的形成方法，

在所述附着防止构件的形成方法中，在基体的表面上形成第一层后，在该第一层的表面上，通过自组装单分子膜(SAM)的化学性吸附、基于等离子体CVD的蒸镀、基于溶胶凝胶法的形成、纳米粒子的涂布、使用表面改性剂的方法、基于交替层叠法的薄膜形成、复合镀覆、电泳法、或者蚀刻处理来形成厚度小于1nm的第二层。