[发明专利]基体保护膜、附着防止构件及附着防止构件的形成方法

说明书

提供能够超过基于静电排斥力的降低物质附着的效果地降低物质向基体表面的附着的基体保护膜。在基体1表面上形成包含带电物质并具有静电排斥力的第一层(电荷保持层3)，在该第一层的表面上形成对表面自由能进行控制的第二层(由官能团长度小于1nm并且50mJ/m²以下的低表面自由能的官能团形成的官能团层4)。由于通过这样形成基体保护膜2，能够一边保持基体1表面上的静电排斥力，一边降低基于分子间力的物质附着，因此能够超过仅基于静电排斥力的降低物质附着的效果地、降低物质向基体1表面的附着。

技术领域

本发明涉及降低物质向基体(例如玻璃制成、树脂制成的基体)的表面附着的基体保护膜、以及在表面上形成有那样的基体保护膜的附着防止构件及其形成方法。

背景技术

作为降低物质(污染物质等)向基体的表面附着的技术，提出有在专利文献1、2所记载的技术。在专利文献1、2所记载的技术中，通过在基体的表面保持电荷，而利用静电排斥力来降低物质的附着。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4926176号

专利文献2：日本专利第5624458号

发明内容

发明要解决的问题

如上述专利文献1、2所记载的技术那样，虽然能够通过在基体的表面保持电荷，而利用静电排斥力来降低物质的附着力，但是越发要求超过这样的利用静电排斥力来降低物质附着的效果地、降低物质对基体表面的附着力。

本发明考虑了那样的实际情况而完成，其目的在于，提供能够超过利用静电排斥力来降低物质附着的效果地降低物质对基体表面的附着的基体保护膜，以及提供在表面上形成有那样的基体保护膜的附着防止构件及其形成方法。

用于解决问题的手段

本发明的基体保护膜是降低物质向基体的表面附着的基体保护膜，所述基体保护膜的特征在于，所述基体保护膜由包含带电物质并具有静电排斥力的第一层、以及对表面自由能进行控制的第二层构成，所述第一层形成于所述基体表面上，所述第二层形成于该第一层的表面上。而且，所述第二层由50mJ/m²以下的低表面自由能的官能团形成，该第二层的厚度小于1nm。

根据本发明的基体保护膜，能够利用形成于基体表面上的第一层的静电排斥力来降低物质附着。进一步地，由于在该第一层的表面上形成对表面自由能进行控制的第二层，该第二层由50mJ/m²以下的低表面自由能的官能团形成，该第二层的厚度设为小于1nm，因此能够通过该第二层来降低表面自由能从而降低基于分子间力的物质附着。由此，由于能够一边保持基于基体表面上的第一层的静电排斥力，一边降低基于分子间力的物质附着，因此能够超过仅基于静电排斥力来降低物质附着的效果地、降低物质向基体表面的附着。

本发明的附着防止构件的特征在于，其在玻璃制成或者树脂制成的基体表面上形成有具有上述特征的基体保护膜。根据上述那样的附着防止构件，能够有效降低物质(污染物质等)向表面的附着。

发明效果

根据本发明的基体保护膜以及附着防止构件，能够超过仅基于静电排斥力来降低物质附着的效果地、降低物质向基体表面的附着。

附图说明

图1是对本发明的基体保护膜的一个例子进行表示的示意图。

图2是对本发明的基体保护膜的其他例子进行表示的示意图。

图3是对在比较例2中形成的电荷保持层以及自组装单分子膜(SAM)进行表示的示意图。

图4是对测定透射率的装置的一个例子进行表示的概要结构图。

具体实施方式