[发明专利]功率半导体装置的制造方法及功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置的制造方法，其具备以下工序：

准备包含相互电气绝缘的第1导体板以及第2导体板的基座板；

将形成有多个第1开口部的第1掩模作为印刷掩模，在所述多个第1开口部的每一者填充第1焊膏，由此，形成与所述第1导体板相接的第1焊料图案第1部分以及与所述第2导体板相接的第1焊料图案第2部分；

在所述第1焊料图案第1部分载置第1半导体元件，在所述第1焊料图案第2部分载置第2半导体元件；

将形成有多个第2开口部的第2掩模作为其他印刷掩模，在所述多个第2开口部的每一者填充第2焊膏，由此，形成与所述第1半导体元件相接的第2焊料图案第1部分以及与所述第2半导体元件相接的第2焊料图案第2部分；

将安装有外部连接端子的中继基板配置于所述第2焊料图案第1部分以及所述第2焊料图案第2部分；以及

在配置了所述中继基板之后，实施热处理，

在所述第1半导体元件形成有信号焊盘，

在形成所述第2焊料图案第1部分的工序中，所述第2焊料图案第1部分包含有在所述信号焊盘之上形成的部分，

所述第2焊料图案第1部分形成为圆柱状，

在配置所述中继基板的工序中，

使用第1中继基板以及第2中继基板作为所述中继基板，

以与所述第2焊料图案第1部分相接的方式配置所述第1中继基板，

以与所述第2焊料图案第2部分相接的方式配置所述第2中继基板。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述第2焊料图案第1部分以及所述第2焊料图案第2部分的工序中，所述第2焊料图案第1部分的上表面的位置和所述第2焊料图案第2部分的上表面的位置成为相同的高度。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置的制造方法，其中，

使用加入镍球的焊料作为所述第1焊膏以及所述第2焊膏的任意者。

4.一种功率半导体装置的制造方法，其具备以下工序：

准备包含相互电气绝缘的第1导体板以及第2导体板的基座板；

将形成有多个第1开口部的掩模作为印刷掩模，在所述多个第1开口部的每一者填充第1焊膏，由此，形成与所述第1导体板相接的第1焊料图案第1部分以及与所述第2导体板相接的第1焊料图案第2部分；

在所述第1焊料图案第1部分直接载置第1半导体元件，在所述第1焊料图案第2部分直接载置厚度与所述第1半导体元件不同的第2半导体元件；

在所述第1半导体元件的第1上表面以及所述第2半导体元件的第2上表面的每一者涂敷第2焊膏，由此，在所述第1上表面形成第2焊料图案第1部分，在所述第2上表面形成第2焊料图案第2部分；

将安装有外部连接端子的中继基板配置于所述第2焊料图案第1部分以及所述第2焊料图案第2部分；以及

在配置了所述中继基板之后，实施热处理，

在配置所述中继基板的工序中，所述中继基板配置为与所述第2焊料图案第1部分之间隔着所述外部连接端子，并且以与所述第2焊料图案第2部分直接相接的方式配置，

所述第2焊料图案第1部分以及所述第2焊料图案第2部分彼此具有相同的厚度，所述第2焊料图案第1部分的上表面位于比所述第2焊料图案第2部分的上表面低的位置处，

所述第1焊料图案第1部分以及所述第1焊料图案第2部分彼此具有相同的厚度，

所述外部连接端子从位于所述中继基板与所述第2焊料图案第2部分之间的部位延伸至所述中继基板的端部后向上方凸出。

5.根据权利要求4所述的功率半导体装置的制造方法，其中，

使用加入镍球的焊料作为所述第1焊膏以及所述第2焊膏的任意者。