[发明专利]功率半导体装置的制造方法及功率半导体装置有效
申请号: | 201780084722.1 | 申请日: | 2017-01-30 |
公开(公告)号: | CN110235243B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 境纪和;吉田博;石桥秀俊;浅地伸洋 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H05K3/34;B23K1/00;H01L21/60;H01L25/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 装置 制造 方法 | ||
向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15),由此,在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来,在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17),由此,形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理,功率半导体装置(1)完成。
技术领域
本发明涉及功率半导体装置的制造方法及功率半导体装置,特别是涉及省去了基于导线键合进行的配线的功率半导体装置的制造方法和这样的功率半导体装置。
背景技术
就功率半导体装置而言,搭载有控制电力的例如IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)等功率半导体元件和控制作为功率半导体装置的一系列动作的电子部件等。
功率半导体元件和电子部件通过焊接与基座板接合。并且,与外部电连接的大容量中继基板通过焊接而接合至已与该基座板接合的功率半导体元件和电子部件。
在功率半导体装置的制造时的焊接工序中,使用绕成卷状的带焊料。此外,作为公开了通过焊接将电子部件与基板接合的方法的专利文献的一个例子,存在专利文献1。
专利文献1:日本特开2012-129456号公报(日本专利第5562222号)
发明内容
如上所述,在焊接工序中,使用绕成卷状的带焊料。就卷状的带焊料而言,越是位于绕成卷状的部分的中心附近处的带焊料,越容易翘曲,另外,容易卷曲。因此,在对半导体元件等进行焊接时,需要去除带焊料的翘曲或卷曲。因此,需要在强制地抑制了带焊料的翘曲等的状态下将带焊料切断的专用的夹具。
另外,为了将切断后的带焊料载置于铜板等,需要专用的夹具。并且,如果在切断后的带焊料残留有翘曲等的状态下载置了半导体元件等,则半导体元件等有时会倾斜。如果该倾斜变大,则有时会在半导体元件等和铜板之间形成空隙。
并且,如果试图与半导体元件等的种类相应地改变焊料的厚度,则需要与该厚度对应的带焊料,管理变复杂。这样,就使用了带焊料的功率半导体装置而言,制造工序变复杂,有时会阻碍成本的削减以及制造期间的缩短化。因此,对于功率半导体装置谋求制造工序的进一步高效化。
本发明是基于这样的开发而提出的,一个目的是提供能够实现制造工序的高效化的功率半导体装置的制造方法,其他目的是提供这样的半导体装置。
本发明涉及的一个功率半导体装置的制造方法具备下面的工序。准备包含相互电气绝缘的第1导体板以及第2导体板的基座板。将形成有多个第1开口部的第1掩模作为印刷掩模,在多个第1开口部的每一者填充第1焊膏,由此,形成与第1导体板相接的第1焊料图案第1部分以及与第2导体板相接的第1焊料图案第2部分。在第1焊料图案第1部分载置第1半导体元件,在第1焊料图案第2部分载置第2半导体元件。将形成有多个第2开口部的第2掩模作为其他印刷掩模,在多个第2开口部的每一者填充第2焊膏,由此,形成与第1半导体元件相接的第2焊料图案第1部分以及与第2半导体元件相接的第2焊料图案第2部分。将安装有外部连接端子的中继基板配置于第2焊料图案第1部分以及第2焊料图案第2部分。在配置了中继基板之后,实施热处理。
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