[发明专利]CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种互补型金属氧化物半导体CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

光电二极管PD，所述PD的阳极连接到地，所述PD的阴极连接到传输栅极TG的源极；

浮动扩散器FD；

电容器Ca；

所述TG，所述TG的源极连接到所述PD的阴极，所述TG的漏极连接到所述FD；

开关管SW，所述SW的源极连接到电源电压，所述SW的漏极连接到重置栅极RS的源极和所述Ca；

所述RS，所述RS的源极连接到所述SW的漏极和所述Ca，所述RS的漏极连接到所述FD；

放大器晶体管AMP，所述AMP的栅极连接到所述FD，所述AMP的源极连接到所述电源电压，

其中，所述PD、所述TG和所述PD设置在衬底上的第一行；

所述AMP、所述SW和所述RS中的任意一种器件设置在衬底上的第二行；

所述AMP、所述SW和所述RS中的其余器件设置在衬底上的第三行。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括第二PD，所述第二PD从所述衬底的内侧延伸到背面，所述TG从所述衬底的表面延伸到所述第二PD，并且电荷从所述第二PD移动到所述TG。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二行和所述第三行是正交。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括第二PD，所述第二PD从所述衬底的内侧延伸到背面，所述TG从所述衬底的表面延伸到所述第二PD，并且电荷从所述第二PD移动到所述TG。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述TG、所述FD、所述SW和所述RS中的任意一种器件叠放在所述PD上。

6.一种互补型金属氧化物半导体CMOS图像传感器，其特征在于，包括以格状方式设置的多个像素电路，其中，每个像素电路包括

第一浮动扩散器FD1；

第一重置栅极RS1，所述RS1的源极连接到电源电压，所述RS2的漏极连接到所述FD1；

第一放大器AMP1，所述AMP1的栅极连接到所述FD1，所述AMP1的源极连接到所述电源电压；

第二浮动扩散器FD2；

第二重置栅极RS2，所述RS2的源极连接到所述电源电压，所述RS3的漏极连接到所述FD2；

第二放大器晶体管AMP2，所述AMP2的栅极连接到所述FD2，所述AMP2的源极连接到所述电源电压；

像素单元，

其中每个像素单元包括：

扩散器D1；

光电二极管PD，所述PD的阳极连接到地，所述PD的阴极连接到传输栅极TG的源极和所述D1；

电容器Ca，所述Ca连接到所述D1；

开关管SW，所述SW的源极连接到所述D1。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，包括所述D1和所述PD之间的电位区域，其中，所述电位区域的电位与用于累积所述PD信号电荷的区域的电位不同，所述电位区域是阻止信号电荷传递的位垒。

8.根据权利要求6或7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，在清除所述PD的电荷后，所述RS1的栅极在预定时间段内导通，并且所述SW的栅极导通，然后所述TG的栅极和所述RS2的栅极在预定时间段内导通。

9.根据权利要求6或7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括第二PD，所述第二PD从衬底的内侧延伸到背面，所述TG从所述衬底的表面延伸到所述第二PD，并且电荷从所述第二PD移动到所述TG。

10.根据权利要求6或7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述TG、所述FD、所述SW和所述RS中的任意一种器件叠放在所述PD上。