[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

散热器；

半导体芯片，其通过固定材料而被固定至所述散热器，由GaN形成；

引线，其经由导线而与所述半导体芯片连接；以及

模塑树脂，其以覆盖所述引线的一部分、所述导线以及所述半导体芯片的方式设置于所述散热器之上，该模塑树脂的玻璃化转变温度大于或等于195℃，

在所述散热器的与所述模塑树脂重叠的表面以及所述引线的与所述模塑树脂重叠的表面设置有表面粗糙度为RMS＝150nm以上且RMS＝250nm以下的粗糙化镀层，

所述固定材料是焊料或者烧结银，

所述模塑树脂的吸水率小于或等于0.24％，

所述散热器以及所述引线的材料为铜、铜钼合金、铜钨合金或者铝，

所述模塑树脂的线膨胀系数为9～19ppm。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体芯片由宽带隙半导体材料形成，

所述模塑树脂的热分解开始温度大于或等于300℃。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述散热器由具有大于或等于200W/mK的热传导率的材料形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述散热器的所述表面的四角设置有以包围所述半导体芯片的方式延伸的槽。