[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201780086998.3 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN110392924B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 一户洋晓;宫胁胜巳;森胁孝雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/52;H01L23/28;H01L23/31;H01L23/48 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
半导体装置(1)具备:散热器(23);半导体芯片(3)以及电路基板(4),它们通过固定材料(5)而被固定至散热器(23);多个引线(22),它们经由导线(6)而与半导体芯片(3)以及电路基板(4)连接;以及模塑树脂(7),其设置于散热器(23)之上。模塑树脂(7)覆盖引线(22)的一部分、导线(6)以及半导体芯片(3),使引线(22)的剩余部分露出。在引线(22)以及散热器(23)的表面设置有表面粗糙度为RMS=150nm以上的粗糙化镀层(21)。固定材料(5)是焊料或者烧结银。模塑树脂(7)的吸水率小于或等于0.24%。
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
当前,例如已知如日本特开2015-164165号公报所公开的那样,将由GaN等宽带隙半导体材料构成的半导体芯片通过模塑树脂而进行封装的半导体装置。通过使用与硅相比带隙大的宽带隙半导体,从而提供能够高温动作的半导体芯片。为了实现与高温动作相对应的模塑封装构造,需要选定能够耐受该高温动作的模塑树脂。关于该点,在上述专利文献1的第0023段中,作为模塑树脂的玻璃化转变温度Tg的优选的值而记载有大于或等于195℃这一数值。另外,在上述专利文献1的第0014段中记载有如下内容,即,使用烧结银接合体而将半导体芯片与散热块接合,以使得能够耐受半导体芯片的高温动作。
专利文献1:日本特开2015-164165号公报
发明内容
但是,在本申请发明人反复深入研究之后,发现就上述专利文献1所记载的构造而言,在吸湿回流焊试验中产生树脂从散热器剥离的问题。如果不解决该树脂剥离的问题,则存在无法对半导体装置进行回流焊安装,不能发挥树脂封装构造的优点这一问题。
本发明就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于提供一种半导体装置,该半导体装置具有能够高温动作的树脂封装型的封装构造,以抑制回流焊工序中的树脂剥离的方式得到了改善。
本发明涉及的半导体装置具备:
散热器;
半导体芯片,其通过固定材料而被固定至所述散热器;
引线,其经由导线而与所述半导体芯片连接;以及
模塑树脂,其以覆盖所述引线的一部分、所述导线以及所述半导体芯片的方式设置于所述散热器之上,该模塑树脂的玻璃化转变温度大于或等于195℃,
在所述散热器的与所述模塑树脂重叠的表面以及所述引线的与所述模塑树脂重叠的表面设置有表面粗糙度为RMS=150nm以上的粗糙化镀层,
所述固定材料是焊料或者烧结银,
所述模塑树脂的吸水率小于或等于0.24%。
发明的效果
本申请发明人新发现了,如果是本发明的构造,则即使使用高玻璃化转变温度的模塑树脂也能够抑制回流焊安装时的树脂剥离。由此,提供抑制了回流焊工序中的树脂剥离、能够高温动作的树脂封装型的半导体装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的外观斜视图。
图2是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的内部构造的斜视图。
图3是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的剖面图。
图4是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的局部放大图。
图5是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的变形例的内部构造的图。
图6是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的变形例所具备的散热器的俯视图。
图7是表示本发明的实施方式涉及的半导体装置的变形例的剖面图。
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