[发明专利]垂直1T-1C DRAM阵列

权利要求书

1.一种可编程阵列，包括：

在衬底上的行中对准的多个单元，其中，所述多个单元中的每者包括可编程元件和晶体管，其中，所述晶体管包括主体，所述主体包括第一扩散区和处于所述第一扩散区上并由沟道分隔的第二扩散区，并且所述可编程元件设置于所述第二扩散区上。

2.根据权利要求1所述的阵列，其中，所述多个单元中的每者的所述可编程元件包括电容器。

3.根据权利要求2所述的阵列，其中，所述电容器是金属绝缘体金属电容器。

4.根据权利要求1所述的阵列，其中，所述晶体管中的每者还包括耦合到所述沟道并从所述主体偏移的栅极电极。

5.根据权利要求1所述的阵列，其中，所述多个单元包括第一多个单元，所述阵列还包括在所述衬底上的列中对准的第二多个单元，并且所述列的投影与所述行的投影相交，并且所述第二多个单元中的每者包括可编程元件和晶体管，所述晶体管包括主体和栅极电极，所述主体包括第一扩散区和处于所述第一扩散区上并由沟道分隔的第二扩散区，所述栅极电极从所述主体偏移并且作为不可见主体耦合到所述第二多个单元的晶体管中的每者的沟道以作为第二地址线。

6.根据权利要求5所述的阵列，其中，耦合到所述多个第二单元的晶体管中的每者的沟道的所述栅极电极被耦合到所述第一多个单元的晶体管之一的沟道。

7.根据权利要求1所述的阵列，其中，所述衬底包括处于所述衬底上的器件层和处于所述器件层上的多个金属化层，并且所述多个单元形成在所述器件层中。

8.根据权利要求1所述的阵列，其中，所述衬底包括处于所述衬底上的器件层和处于所述器件层上的多个金属化层，其中，所述多个单元设置在所述多个金属化层中的金属化层之间。

9.一种集成电路阵列设备，包括：

衬底上的第一多个单元，其中，每个单元包括可编程元件和主体，所述主体包括第一扩散区、第二扩散区和晶体管的沟道，其中，所述第二扩散区在所述第一扩散区上并由所述沟道分隔；以及

所述衬底上的第二多个单元，其中，每个单元包括可编程元件和主体，所述主体包括第一扩散区、第二扩散区和晶体管的沟道，其中，所述第二扩散区在所述第一扩散区上并由所述沟道分隔，所述第二多个单元还包括耦合到所述沟道的一侧的栅极堆叠体，其中，所述堆叠体包括栅极电极，所述栅极电极包括在所述第二多个单元的每个主体之间延伸并耦合到所述第一多个单元的一个沟道以作为第二地址线的不可见主体。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第一多个单元和所述第二多个单元中的每者的所述可编程元件包括电容器。

11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述电容器是金属绝缘体金属电容器。

12.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第一多个单元和所述第二多个单元中的每者的主体投射在垂直于所述衬底的基底表面的方向上。

13.根据权利要求9所述的设备，其中，所述衬底包括处于所述衬底上的器件层和处于所述器件层上的多个金属化层，并且所述第一多个单元和所述第二多个单元均形成在所述器件层中。

14.根据权利要求9所述的设备，其中，所述衬底包括所述衬底上的器件层和所述器件层上的多个金属化层，其中，所述第一多个单元和所述第二多个单元均设置于所述多个金属化层中的金属化层之间。