[发明专利]用于晶体管的栅极

权利要求书

1.一种设备，包括：

栅极，其中，所述栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；

所述栅极上的栅极电介质，其中，所述栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与所述第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；

第一电介质，其中，所述第一电介质邻接所述第一栅极侧、所述第一栅极电介质侧、所述第二栅极侧和所述第二栅极电介质侧；

沟道，其中，所述栅极电介质在所述沟道和所述栅极之间；

与所述沟道耦合的源极；以及

与所述沟道耦合的漏极，其中，所述第一电介质邻接所述源极和所述漏极。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

处于所述第一电介质的一部分和所述源极的一部分之间的第二电介质。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电介质和所述栅极电介质使所述栅极与所述沟道、所述源极和所述漏极绝缘。

4.根据权利要求1所述的设备，还包括：

处于所述源极和所述漏极之间的钝化层。

5.根据权利要求4所述的设备，还包括：

处于所述钝化层上的第三电介质。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的设备，其中，所述设备在层间电介质上。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的设备，其中，所述设备耦合到电容元件。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述电容元件是嵌入式动态随机存取存储器。

9.一种方法，包括：

在氧化物上沉积栅极；

在所述栅极上沉积栅极电介质；

沿所述栅极和所述栅极电介质的两侧沉积第一电介质；以及

在所述栅极电介质和所述第一电介质上沉积沟道。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述第一电介质的一部分上沉积第二电介质；以及

在所述第二电介质和所述第一电介质上沉积源极和漏极，其中，所述沟道耦合所述源极和所述漏极。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述源极和所述漏极之间沉积钝化层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述漏极耦合到电容元件。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述漏极耦合到嵌入式动态随机存取存储器。

14.根据权利要求10-13中任一项所述的方法，其中，所述氧化物层在逻辑元件之上。

15.一种计算装置，包括：

安装在衬底上的处理器；

所述处理器内的通信逻辑单元；

所述处理器内的存储器；

所述计算装置内的图形处理单元；

所述计算装置内的天线；

所述计算装置上的显示器；

所述计算装置内的电池；

所述处理器内的功率放大器；以及

所述处理器内的电压调节器；

其中，所述存储器耦合到后段晶体管，并且所述后段晶体管包括：

栅极，其中，所述栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；

所述栅极上的栅极电介质，其中，所述栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与所述第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；

第一电介质，其中，所述第一电介质邻接所述第一栅极侧、所述第一栅极电介质侧、所述第二栅极侧和所述第二栅极电介质侧；

沟道，其中，所述栅极电介质在所述沟道和所述栅极之间；

与所述沟道耦合的源极；以及

与所述沟道耦合的漏极，其中，所述第一电介质邻接所述源极和所述漏极。