[发明专利]用于晶体管的栅极

说明书

公开了用于一种设备的衬底、组件和技术，其中所述设备包括：栅极，其中，栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；栅极上的栅极电介质，其中栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中第一电介质邻接第一栅极侧、第一栅极电介质侧、第二栅极侧和第二栅极电介质侧；沟道，其中栅极电介质在沟道和栅极之间；与沟道耦合的源极；以及与沟道耦合的漏极，其中第一电介质邻接源极和漏极。在示例中，第一电介质和栅极电介质有助于使栅极与沟道、源极和漏极绝缘。

技术领域

本公开总体上涉及晶体管领域，并且更具体而言，涉及用于晶体管的栅极。

背景技术

大部分逻辑器件(即使不是全部)需要一些类型的存储器单元，例如随机存取存储器(RAM)。动态随机存取存储器(DRAM)是在独立电容器中存储数据的每个位的随机存取存储器的类型。电容器可以被充电或放电，并且这两种状态用于代表位的两个值(即1和0)。DRAM广泛用于需要低成本且高电容的存储器的数字电子装置中。DRAM的最大应用之一是现代计算机和电子装置中的主存储器或RAM。DRAM通常耦合到晶体管。然而，晶体管泄漏小量的电流，并且可能导致DRAM的电容器放电并逐渐减弱。

附图说明

通过结合附图的以下具体实施方式，将容易理解实施例。为了方便该描述，类似的附图标记指示类似的结构元件。在附图的图中通过示例而非限制的方式示出了实施例。

图1是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图2是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图3是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图4是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图5是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图6是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7A是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7B是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7C是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7D是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7E是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7F是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7G是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7H是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图7I是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图8是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图9是示出了根据本公开的一个实施例的电子装置的一部分的实施例的简化框图；

图10是实施本文所公开的实施例中的一个或多个的内插器；以及

图11是根据本文所公开的实施例构建的计算装置。

附图中的图未必是按比例绘制的，因为它们的尺寸可以被相当大地改变而不脱离本公开的范围。