[发明专利]激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法有效
申请号: | 201780088210.2 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN110418691B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 今村博亮;藤贵洋;山口芳広 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/10;B65G49/06;H01L21/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,包括:
一激光生成装置,用于生成激光;
一浮起单元,用于浮起待施加所述激光的处理对象;以及
多个传送单元,用于传送被浮起的所述处理对象,其中,
所述浮起单元在一平面视角下具有四条边,并且所述多个传送单元中的每一个配置为能够沿着所述浮起单元的所述四条边中的一条边移动,
所述多个传送单元中的每一个包括:
一保持机构,用于通过吸附所述处理对象而保持所述处理对象;以及
一移动机构,用于沿一传送方向移动所述保持机构,
所述保持机构包括:
一底座,所述底座包括:用作吸附所述处理对象的吸附表面的第一表面;与所述第一表面相对的第二表面;以及从所述第一表面延伸至所述第二表面的多个通孔;
多条管道,每条所述管道在所述底座的所述第二表面上连接到所述多个通孔中相应的一个;
一排空机构,用于从所述多条管道排气;以及
多个吸附辅助阀,每个所述吸附辅助阀设置在所述多条管道中相应一条管道的中央,每个所述吸附辅助阀均设置为当经过相应通孔流入相应管道内的气体的流量大于或等于一阈值时关闭。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述底座的所述第一表面划分为多个分表面,
所述第一表面的所述多个分表面中的每一分表面均设有所述通孔。
3.根据权利要求2所述的激光照射装置,其特征在于,所述底座的所述第一表面沿所述传送单元的所述传送方向划分。
4.根据权利要求2所述的激光照射装置,其特征在于,所述底座的所述第一表面沿所述传送单元的所述传送方向以及与所述传送单元的所述传送方向垂直的方向划分。
5.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,所述通孔包括:
开口于所述第一表面上的第一通孔;以及
连接到所述第一通孔且在所述第二表面上连接到所述管道的第二通孔,
所述第二通孔的直径大于所述第一通孔的直径。
6.根据权利要求5所述的激光照射装置,其特征在于,
所述通孔包括多个第一通孔,
所述第二通孔连接于所述多个第一通孔。
7.根据权利要求2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第一表面的所述多个分表面中的每一分表面上均形成有凹槽。
8.根据权利要求7所述的激光照射装置,其特征在于,形成于所述第一表面的各所述分表面上的各所述凹槽彼此连接。
9.根据权利要求8所述的激光照射装置,其特征在于,所述通孔开口于所述第一表面的所述多个分表面中的每一分表面上形成所述凹槽之处。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,所述保持机构包括:
一压力计,用于测量所述多条管道中的一条管道内的压力;以及
一判断单元,用于根据所述压力计测量的压力判断所述处理对象是否被吸附。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造