[发明专利]激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法

说明书

根据一种实施方式的激光照射装置(1)包括：用于生成激光的激光生成装置(14)；用于浮起待施加激光的处理对象(16)的浮起单元(10)；以及用于传送已浮起的所述处理对象(16)的传送单元(11)。所述传送单元(11)包括：通过吸附所述处理对象(16)而保持该处理对象(16)的保持机构(12)；以及用于沿传送方向移动所述保持机构(12)的移动机构(13)。所述保持机构(12)包括：含多个通孔(152)的底座(153)；分别与所述多个通孔(152)连接的多条管道(145)；用于排空所述多条管道(145)的真空生成装置(144)；以及分别设于所述多条管道(145)中央的多个吸附辅助阀(150)，每个该吸附辅助阀(150)均设置为当经相应通孔(152)流入相应管道(145)内的气体流量大于或等于阈值时关闭。

技术领域

本发明涉及一种激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法。

背景技术

一种已知激光退火装置通过以激光束照射形成于硅片、玻璃基片等物之上的非晶膜而使该非晶膜结晶化。专利文献1公开一种激光退火装置，该装置在通过浮起单元使基片浮起的同时以传送单元传送该基片，并以激光束对该基片进行照射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：公开号为WO2015/174347的国际专利申请

发明内容

发明解决的技术问题

根据专利文献1中公开的技术，基片在由浮起单元浮起的同时，由传送单元传送，并在此过程中接受激光的照射。在由传送单元传送基片的过程中，基片保持于传送单元上。此外，根据专利文献1中公开的技术，在基片被保持时，对基片背面进行吸附。然而，以吸附方式保持基片存在如下问题：当基片仅部分放置于传送单元的吸附表面上时，无法实现基片吸附。

根据本发明的描述以及附图，其他待解决问题及新颖特征将变得容易理解。

解决问题的技术手段

根据一种实施方式的激光照射装置包括：用于生成激光的激光生成装置；用于浮起待施加激光的处理对象的浮起单元；以及用于传送已浮起的所述处理对象的传送单元。所述传送单元包括：用于通过吸附所述处理对象而保持该处理对象的保持机构；以及用于沿传送方向移动所述保持机构的移动机构。所述保持机构包括：形成有多个通孔的底座；分别与所述多个通孔连接的多条管道；以及分别设于所述多条管道中央的多个吸附辅助阀，每个该吸附辅助阀均设置为当经相应通孔流入相应管道内的气体流量大于或等于阈值时关闭。

本发明有益效果

根据上述实施方式，可实现一种优异的激光照射装置、激光照射方法及半导体器件制造方法。

附图说明

图1为第一实施方式激光照射装置1的平面结构示意图；

图2为沿图1中II-II线截面图；

图3为沿图1中III-III线截面图；

图4为比较例1保持机构120A的侧视结构示意图。

图5为比较例1保持机构120A的侧视结构示意图。

图6为比较例2保持机构120B的侧视结构示意图。

图7为比较例2保持机构120B的侧视结构示意图。

图8为第一实施方式保持机构12的侧视结构示意图。

图9为第一实施方式保持机构12的侧视结构示意图。

图10为第一实施方式保持机构12变化例的侧视结构示意图。

图11为第一实施方式保持机构12分解斜视图，其中，保持机构12沿底座153和管道145之间的边界分解。