[发明专利]基板处理装置、加热单元以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

反应管，其容纳基板；

盖部，其封闭形成于上述反应管的炉口；

加热器，其设置于上述反应管的炉口附近的侧壁的外周；

多个温度传感器，其构成为，分别测量上述反应管的炉口附近的侧壁上的在上述侧壁的周向上互相不同的多个位置的温度；以及

控制部，其构成为基于上述多个温度传感器的每一个的测量值控制上述加热器。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述加热器由在上述侧壁的周向上被分割出的多个加热单元构成。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

具备与上述反应管的炉口附近的侧壁连接的配管，

上述多个加热单元的至少一个为第一加热单元，该第一加热单元构成为将上述反应管的炉口附近的侧壁的一部分且连接有上述配管的部位的周边部分以及上述配管一起加热，

上述多个加热单元的至少另一个为第二加热单元，该第二加热单元构成为对上述反应管的炉口附近的侧壁的一部分缺未连接上述配管的部分进行加热。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制部构成为，将向上述第一加热单元和上述第二加热单元供给的电力分别单独控制来加热上述反应管的炉口附近的侧壁以及上述配管。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述多个温度传感器包括：

第一温度传感器，其构成为测量被上述第一加热单元加热的上述反应管的侧壁的部分的温度；以及

第二温度传感器，其构成为测量被上述第二加热单元加热的上述反应管的侧壁的部分的温度。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制部构成为，控制向上述第一加热单元供给的电力，以使上述第一温度传感器的测量值成为第一温度，

控制向上述第二加热单元供给的电力，以使上述第二温度传感器的测量值成为比上述第一温度低的第二温度。

7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一加热单元构成为，将多个上述配管以及上述反应管的炉口附近的侧壁的一部分且供上述多个配管的每一个连接的部位的周边部分一起加热。

8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述配管为选自由向上述反应管内供给处理气体的气体供给配管、排出上述反应管内的气体介质的气体排气管以及构成为保护插入上述反应管内的温度传感器的管状的温度传感器保护管所构成的组的至少一个。

9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一加热单元具备：

第一发热丝，其以与上述侧壁对置的方式沿上述侧壁的周向配置；以及

第二发热丝，其沿上述配管的延伸方向配置于上述配管的周围。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

上述控制部构成为，将向上述第一发热丝和上述第二发热丝供给的电力分别单独控制来加热上述侧壁以及上述配管。

11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一加热单元具备测量上述配管的温度的配管温度传感器，

上述控制部构成为，基于上述配管温度传感器的测量值控制向上述第二发热丝供给的电力来加热上述配管。

12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一加热单元在上述第二发热丝与上述配管之间具备具有高热传导率的板。