[发明专利]基板处理装置、加热单元以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置，其具备：反应管，其容纳基板；盖部，其封闭形成于反应管的炉口；加热器，其设置于反应管的炉口附近的侧壁的外周；多个温度传感器，其构成为分别测量反应管的炉口附近的侧壁上的在侧壁的周向上互相不同的多个位置的温度；以及控制部，其构成为基于多个温度传感器的每一个的测量值控制加热器。由此，以防止形成处理室的部件的温度产生局部的不均的方式进行加热。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、加热单元以及半导体装置的制造方法。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一工序，有时进行基板处理，该基板处理包括以下工序：使包含过氧化氢(H₂O₂)的液体原料气化而生成作为处理气体的气化气体的工序；以及对处理室内的基板供给该气化气体的工序(例如参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/069826号

专利文献2：国际公开第2013/070343号

发明内容

发明所要解决的课题

当进行上述的基板处理时，根据条件，供给至处理室内的气化气体在处理室内被冷却而液化、液化产生的液体被加热而引起剧烈的反应。这样的现象有时起因于由于形成处理室的部件的温度不均匀，产生局部的低温区域、高温区域。本发明的目的之一在于提供能够以防止形成处理室的部件的温度产生局部的不均的方式进行加热的技术。

用于解决课题的方案

根据本发明的一方案，提供一种基板处理装置，其具备：反应管，其容纳基板；盖部，其封闭形成于上述反应管的炉口；加热器，其设置于上述反应管的炉口附近的侧壁的外周；多个温度传感器，其构成为分别测量上述反应管的炉口附近的侧壁上的在上述侧壁的周向上互相不同的多个位置的温度；以及控制部，其基于上述多个温度传感器的每一个的测量值控制上述加热器。

附图说明

图1是适用于本发明的一实施方式的基板处理装置的纵型处理炉的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图。

图2是表示适用于本发明的一实施方式的基板处理装置的反应管的炉口周边构造的概略结构图，是用水平剖视图表示炉口周边的图。

图3中的(a)是表示加热单元的一形态的结构以及该加热单元的周边的结构的纵剖视图。(b)是从(a)所示的方向A观察到的点划线处的加热单元的纵剖视图。

图4中的(a)是表示加热单元的另一形态的结构以及该加热单元的周边的结构的纵剖视图。(b)是从(a)所示的方向A观察到的点划线处的加热单元的纵剖视图。

图5中的(a)是表示加热单元的另一形态的结构以及加热单元的周边的结构的纵剖视图。(b)是从(a)所示的方向A观察到的点划线处的加热单元的纵剖视图。

图6是表示加热单元的另一形态的结构的概略结构图，是将与排气管的延伸方向垂直的面作为截面的纵剖视图。

图7是表示均热板的结构的纵剖视图。

图8是表示安装于加热单元的侧壁温度传感器的安装构造的加热单元的纵剖视图。

图9是说明加热单元间的连接构造的概略结构图。

图10是适用于本发明的一实施方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是用块图表示控制器的控制系统的图。

图11是表示基板处理工序的一个例子的流程图。

图12是表示实施例中的温度监视点A～N的位置的概略结构图。