[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780091538.X | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN110709970A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 高尾胜大 | 申请（专利权）人： | 青井电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/12 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体元件 镀层 半导体装置 电路电连接 保护部件 底面 密封 | ||
1.一种半导体装置，具备在主面的一部分具有镀层部的半导体元件以及密封所述半导体元件的所述主面以外的面的保护部件，
所述镀层部与所述半导体元件内的电路电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述主面的端部和所述保护部件的表面是连续地形成的。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述镀层部的从所述主面起的厚度为15微米以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述保护部件为均匀的热固性树脂。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述保护部件包含预定的填充剂。
6.一种半导体装置的制造方法，具有：
在半导体元件的主面的一部分形成用于与所述半导体元件内的电路电连接的镀层部，
通过保护部件来密封所述半导体元件的所述主面以外的面。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，将所述主面的端部和所述保护部件的表面连续地形成。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，以从所述主面起具有15微米以下的厚度的方式形成所述镀层部。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，使热固性树脂均匀固化来作为所述保护部件。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，将包含预定的填充剂的所述热固性树脂作为所述保护部件。
11.根据权利要求6～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，通过真空层压法来形成所述保护部件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
