[发明专利]晶体管制造中的集成的纳米线及纳米带图案化

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括：

第一多个晶体管，所述第一多个中的晶体管包括具有第一横向宽度的一个或多个由半导体材料构成的层，所述由半导体材料构成的层与相邻的晶体管的半导体层分开至少第一间隔；以及

第二多个晶体管，所述第二多个中的晶体管包括具有第二横向宽度的一个或多个由半导体材料构成的层，所述第二横向宽度等于所述第一横向宽度的第一整数倍加上预定距离的第二整数倍，所述预定距离小于或者等于所述第一间隔，其中：

所述第一整数至少为二；并且

所述第二整数比所述第一整数小一。

2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述预定距离小于所述第一间隔。

3.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一横向宽度是所述IC内的所有晶体管的标称最小横向宽度。

4.根据权利要求1中的任何一项所述的方法，其中，所述第二多个包括：

第一晶体管，其包括具有等于所述第一横向宽度的二倍加上所述预定距离的横向宽度的、一个或多个由半导体材料构成的层；以及

第二晶体管，其包括具有等于所述第一横向宽度的三倍加上所述预定距离的二倍的横向宽度的、一个或多个由半导体材料构成的层。

5.根据权利要求1所述的IC结构，其中：

所述预定距离小于所述第一间隔；

所述第二多个中的晶体管包括具有限定了横向长度的相对的末端的一个或多个由半导体材料构成的层；并且

所述相对的末端跨越所述横向宽度具有若干棘爪槽，其中，所述棘爪槽的数量等于所述第二整数，并且所述棘爪槽具有等于所述第一横向宽度的彼此之间的间隔。

6.根据权利要求5所述的IC结构，其中，所述棘爪槽关于穿过所述第二多个晶体管中的各个晶体管的横断中心线对称。

7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的IC结构，其中：

所述预定距离等于所述第一间隔；

所述第二多个中的晶体管包括具有限定了横向长度的相对的末端的一个或多个由半导体材料构成的层；并且

所述相对的末端跨越所述横向宽度具有若干棘爪槽，其中，所述棘爪槽的数量等于所述第二整数的二倍，并且所述棘爪槽具有小于所述预定距离的彼此之间的间隔。

8.根据权利要求1-6中的任何一项所述的IC结构，其中，所述IC中的每个晶体管是所述第一多个晶体管之一，或者是所述第二多个晶体管之一。

9.根据权利要求1-6中的任何一项所述的IC结构，其中：

所述标称最小横向宽度不超过10nm；并且

所述第一间隔不超过20nm。

10.根据权利要求1-6中的任何一项所述的IC结构，其中：

所述第一多个晶体管是纳米线晶体管，并且所述第二多个晶体管是纳米带晶体管，所述第一多个晶体管和所述第二多个晶体管中的各个晶体管包括：

与至少两个由半导体材料构成的层的侧壁相邻并且位于所述两个层之间的栅极堆叠体，其中，所述栅极堆叠体包括栅极电介质层和栅电极材料；以及

在所述栅极堆叠体的相对侧上耦合至所述两个由半导体材料构成的层的源极和漏极。