[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其具备：

形成处理基板的处理室的至少一部分的处理容器；

等离子体生成部，其具有以卷绕在所述处理容器的外周的方式设置的线圈、以及向所述线圈供给高频电力的高频电源；

基板载置台，其在所述处理室内，与所述线圈的下端相比设在下方；

设于所述基板载置台的加热器；

温度传感器，其对所述处理容器的与所述线圈的上端相比位于上方的部分的温度进行测定；

气体供给系统，其向所述处理容器内供给第一处理气体以及第二处理气体；以及

控制部，其构成为以执行处理(a)、处理(b)、处理(c)、处理(d)、以及处理(e)的方式来控制所述气体供给系统以及所述等离子体生成部，所述处理(a)中，向所述处理容器内供给第一处理气体，所述处理(b)中，直到由所述温度传感器测定出的温度成为第一温度以上为止将高频电力供给至所述线圈，来生成向所述处理容器内供给的所述第一处理气体的等离子体，所述处理(c)中，在所述处理(b)之后将所述基板载置于所述基板载置台，所述处理(d)中，向所述处理容器内供给第二处理气体，所述处理(e)中，将高频电力供给至所述线圈来生成向所述处理容器内供给的所述第二处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于所述基板载置台的所述基板进行处理。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述控制部构成为，在所述处理(b)中，直到由所述温度传感器测定出的温度成为所述第一温度以上为止，间歇地执行一次或者间歇地重复执行多次向所述线圈供给高频电力的开始与停止。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述控制部构成为，将所述处理(c)～(e)重复执行规定次数以上，获取在执行所述规定次数的状态下的由所述温度传感器测定出的温度，将该获取的温度作为新的所述第一温度而设定于存储部。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述控制部构成为，以在所述处理(a)～(e)的任一处理中均对所述基板载置台进行加热的方式控制所述加热器。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

还具有对所述加热器以及所述基板载置台的至少某一个的温度进行测定的第二温度传感器，

所述控制部构成为，在所述处理(a)～(e)中，以使由所述第二温度传感器测定出的温度成为第二温度以上的方式控制所述加热器。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

所述控制部构成为，在所述处理(a)之前执行处理(f)，所述处理(f)中，以使由所述第二温度传感器测定出的温度成为所述第二温度以上的方式进行基于所述加热器的升温。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述温度传感器设为对距所述线圈的上端15mm以上30mm以下的规定高度位置处的所述处理容器的温度进行测定。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述高频电源构成为将具有包括所述线圈的电感耦合结构的电长度的整数倍的波长的高频电力供给至所述线圈。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述控制部构成为，以将具有包括所述线圈的电感耦合结构的共振频率的高频电力供给至所述线圈的方式控制所述高频电源。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，

所述控制部构成为，在处理(b)中以在所述线圈的上端的高度位置形成环状的等离子体的方式控制所述高频电源。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述处理容器为由石英形成的筒状或者圆顶状的容器。