[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

说明书

在利用了等离子体的基板处理装置中，抑制因构成处理室的处理容器的温度而产生的处理速率的下降，抑制每个被处理基板的处理速率的不均等。提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：形成处理基板的处理室的至少一部分的处理容器；等离子体生成部，其具有以卷绕在处理容器的外周的方式设置的线圈、以及向线圈供给高频电力的高频电源；基板载置台，其在处理室内，与线圈的下端相比设在下方；设于基板载置台的加热器；以及温度传感器，其对处理容器的与线圈的上端相比位于上方的部分的温度进行测定。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

近年来，快闪存储器等的半导体器件具有高集成化的倾向。与之相伴地，图案尺寸显著变得微小化。在形成这些图案时，存在作为制造工序的一个工序，对基板实施进行氧化处理或氮化处理等的规定处理的工序的情况。

例如，在专利文献1中公开了利用由等离子体激励的处理气体对形成在基板上的图案表面进行改性处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-75579号公报

发明内容

然而，在基板处理装置中，在进行针对基板的改性处理等的处理时，有时会因处理室的构成部件的温度使得处理速率发生变动。因此，处理室的构成部件的温度没有成为期望的温度，由此，无法获得期望的处理速率或者处理室的温度不稳定，从而有针对每个被处理基板的处理速率产生不均的情况。

根据本发明的一形态，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：形成处理基板的处理室的至少一部分的处理容器；等离子体生成部，其具有以卷绕在所述处理容器的外周的方式设置的线圈、以及向所述线圈供给高频电力的高频电源；基板载置台，其在所述处理室内，与所述线圈的下端相比设在下方；设于所述基板载置台的加热器；以及温度传感器，其对所述处理容器的与所述线圈的上端相比位于上方的部分的温度进行测定。

发明效果

根据本发明，提供如下的技术：在利用了等离子体的基板处理装置中，抑制因构成处理室的处理容器的温度而产生处理速率的下降，抑制每个被处理基板的处理速率的不均，提高半导体器件的品质。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的概略剖视图。

图2是说明本发明的一实施方式的基板处理装置的等离子体生成原理的说明图。

图3是示出本发明的一实施方式的基板处理装置的控制部的构成的图。

图4的(A)是示出本发明的一实施方式的热电偶单元的一构成的图，(B)是示出另一构成的图。

图5是示出本发明的一实施方式的基板处理装置的处理工序的流程图。

图6是示出本发明的一实施方式的处理工序中的本处理工序的流程图。

图7是示出本发明的一实施方式的处理工序中的事前处理工序的流程图。

图8是描画出在没有进行事前处理工序的比较例(实验例)中的、上侧容器的温度与形成在基板上的膜的厚度的图。

图9是描画出在进行事前处理工序的实施例中的、上侧容器的温度与形成在基板上的膜的厚度的图。

具体实施方式

本发明的第一实施方式

(1)基板处理装置的构成

以下，利用图1～图4说明本发明的第一实施方式的基板处理装置。本实施方式的基板处理装置构成为主要针对形成在基板面上的膜进行氧化处理。

(处理室)