[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

支承衬底；

绝缘层，其形成于所述支承衬底上；

半导体层，其形成于所述绝缘层上；

第1源极区域，其形成于所述半导体层内；

第1漏极区域，其形成于所述半导体层内，且与所述第1源极区域隔开间隔地形成；

第1沟道形成区域，其由所述第1源极区域和所述第1漏极区域夹着；

第1栅极绝缘膜，其形成于所述第1沟道形成区域上；和

第1栅电极，其形成于所述第1栅极绝缘膜上，

包含所述第1栅极绝缘膜、所述第1栅电极、所述第1沟道形成区域、所述第1源极区域和所述第1漏极区域的第1场效应晶体管为第1模拟电路的构成要素，

所述第1模拟电路至少含有1个以上的所述第1场效应晶体管，

所述半导体层的厚度为2nm以上且24nm以下。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1栅电极的栅极长度为100nm以下。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

施加于所述第1源极区域的电位与施加于所述第1漏极区域的电位的差的绝对值为0.4V以上且1.2V以下。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1沟道形成区域内的导电型杂质的杂质浓度比1×10¹⁷/cm³大且为1×10¹⁸/cm³以下。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1模拟电路包含多个所述第1场效应晶体管。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1模拟电路包含差分放大器，

所述差分放大器包含多个所述第1场效应晶体管。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述绝缘层的厚度为10nm以上且20nm以下，

在所述支承衬底形成有位于所述第1沟道形成区域的下方且与所述绝缘层相接的第1阱区域。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1栅极绝缘膜由氧化硅膜构成，

从所述第1场效应晶体管的非动作时至动作时，对所述第1阱区域施加有所述第1背栅电压。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1栅极绝缘膜含有介电常数比氧化硅膜高的材料。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1栅极绝缘膜由对氧化硅膜至少添加了铪和铝中的某个元素的膜构成。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体层的厚度为8nm以上且12nm以下。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1栅电极的栅极长度为150nm以下。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

施加于所述第1源极区域的电位与施加于所述第1漏极区域的电位的差的绝对值为0.4V以上且1.6V以下。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1沟道形成区域内的导电型杂质的杂质浓度为1×10¹⁷/cm³以下。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1模拟电路包含多个所述第1场效应晶体管。