[发明专利]蚀刻并机械研磨堆叠在半导体衬底上的膜层

权利要求书

1.一种方法，包括：

湿法蚀刻堆叠在半导体衬底的第一侧上的多个膜层中的第一膜层，使用第一化学物执行所述第一膜层的湿法蚀刻，其中所述第一膜层是堆叠在所述半导体衬底上的最外膜层；

使用第二化学物湿法蚀刻所述多个膜层的第二膜层；以及

使用机械研磨轮从所述第一侧研磨所述半导体衬底以减小所述半导体衬底的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述衬底的先前邻接所述多个膜层中的至少一个膜层的表面上，进行所述半导体衬底的研磨。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层包括氮化硅层，并且其中所述第一化学物包括30％-49％的氟化氢，含30％和49％。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二膜层包括多晶硅层，并且其中所述第二化学物包括60％-70％的硝酸，含60％和70％，以及0.5％-1％的氟化氢，含0.5％和1％。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层包括多晶硅层，并且其中所述第一化学物包括60％-70％的硝酸，含60％和70％，以及0.5％-1％的氟化氢，含0.5％和1％。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二膜层包括氮化硅层，并且其中所述第二化学物包括30％-49％的氟化氢，含30％和49％。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层包括氧化硅层，并且其中所述第一化学物包括30％-49％的氟化氢，含30％和49％。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二膜层包括氧化硅层，并且其中所述第二化学物包括30％-49％的氟化氢，含30％和49％。

9.根据权利要求1所述的方法，其中堆叠在所述半导体衬底上的所述多个膜层是从在所述半导体衬底的前侧上执行的多个微加工制作工艺获得的。

10.一种使半导体晶片变薄的方法，包括：

使用带条保护半导体衬底的前侧；

化学蚀刻堆叠在所述半导体衬底的背侧上的多个膜层以暴露所述半导体衬底的所述背侧，使用第一化学物执行的化学蚀刻蚀刻第一膜层，并且第二化学物蚀刻第二膜层；并且

研磨所述半导体衬底的所述背侧，以减小所述半导体衬底的厚度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一化学物包括30％-49％的氟化氢，含30％和49％，并且其中所述第一膜层包括氮化硅。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二化学物包括60％-70％的硝酸，含60％和70％，以及0.5％-1％的氟化氢，含0.5％和1％，并且其中所述第二膜层包括多晶硅。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一化学物包括30％-49％的氟化氢，含30％和49％，并且其中所述第一膜层包括二氧化硅。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述带条包括紫外线可固化的背侧研磨带条。

15.根据权利要求10所述的方法，其中堆叠在所述半导体衬底上的所述多个膜层是由在所述半导体衬底的所述前侧上执行的多个顺序的微加工制作工艺形成的。