[发明专利]蚀刻并机械研磨堆叠在半导体衬底上的膜层

说明书

一种方法包括湿法蚀刻堆叠在半导体衬底(200)上的多个膜层(205、210)中的第一膜层(210)，使用第一化学物执行第一膜层(210)的湿法蚀刻，其中第一膜层(210)是堆叠在半导体衬底(200)上的最外膜层。该方法进一步包括使用第二化学物湿法蚀刻多个膜层(205、210)中的第二膜层(205)。该方法还包括使用机械研磨轮来研磨半导体衬底(200)以减小半导体衬底(200)的厚度。

背景技术

技术进步使得半导体工业能够成功地缩小集成电路上的晶体管的尺寸，从而导致集成电路(“IC”)尺寸的大幅减小。此外，改善的制造工艺已允许电路设计人员和工艺工程师通过增加晶片的尺寸来增加IC上的晶体管的数量。

发明内容

根据实施例，一种方法包括湿法蚀刻堆叠在半导体衬底上的多个膜层中的第一膜层，第一膜层的湿法蚀刻通过使用第一化学物来执行，并且第一膜层是堆叠在半导体衬底上的最外膜层。该方法还包括使用第二化学物湿法蚀刻多个膜层中的第二膜层。另外，该方法包括使用机械研磨轮来研磨半导体衬底以减小半导体衬底的厚度。

根据另一实施例，一种使半导体晶片变薄的方法包括使用带条保护半导体衬底的前侧。该方法进一步包括化学蚀刻堆叠在半导体衬底上的多个膜层以暴露半导体衬底，使用经选择用于蚀刻第一膜层的第一化学物和经选择用于蚀刻第二膜层的第二化学物来执行该化学蚀刻。该方法进一步包括研磨半导体衬底以减小半导体衬底的厚度。

根据又一实施例，一种方法包括提供半导体衬底，该半导体衬底具有形成在该半导体衬底的第一侧上的集成电路，并且具有堆叠在该衬底的第二侧上的氮化硅膜层和多晶硅膜层。该方法进一步包括使用包括30％-49％(含30％和49％)的氟化氢的第一化学浴去除氮化硅膜层。该方法进一步包括使用包括60％-70％(含60％和70％)的硝酸和0.5％-1％(含0.5％和1％)的氟化氢的第二化学浴去除多晶硅膜层，以暴露半导体衬底。该方法还包括使用机械研磨机使半导体衬底变薄。

附图说明

对于各种示例的详细描述，现在将参考附图，其中：

图1(a)是根据各种示例的用于制造集成电路的半导体晶片的透视图。

图1(b)是根据各种示例的图1(a)的半导体晶片的一部分的反向侧视图。

图1(c)至图1(f)是根据各种示例的图1(b)描绘的半导体晶片的部分的反向侧视图，并且描绘了一系列膜层的去除。

图1(g)是根据各种示例的图1(b)描绘的半导体晶片的部分的反向侧视图，并且描绘了的半导体衬底的研磨。

图2是根据各种实施例的用于使半导体晶片变薄的方法的说明性流程图。

图3是根据各种实施例的用于使半导体晶片变薄的方法的另一说明性流程图。

图4是根据各种实施例的用于使半导体晶片变薄的方法的又一说明性流程图。

具体实施方式

当IC芯片被放置在汽车、台式计算机或其他相对大的设备中时，通常不关心IC芯片的尺寸。然而，当将芯片放置在微型设备(诸如智能手机)中时，芯片的尺寸显得尤为重要。使用高密度封装可以实现IC封装件的整体尺寸的减小。高密度封装通常通过堆叠多个集成电路来完成。通过减少晶片(用于一次制作几千个IC)的厚度和执行晶片背侧研磨(通常也称为“晶片减薄”)，可以进一步改善封装密度。晶片背侧研磨涉及在IC已经被制作到晶片上之后使半导体晶片变薄。