[发明专利]具有成分和尺寸截然不同的沟道区和亚沟道区的晶体管

权利要求书

1.一种包括至少一个晶体管的集成电路(IC)，所述IC包括：

包括栅电极和栅极电介质的栅极结构，所述栅电极包括金属材料；以及

邻近所述栅电极的鳍，所述栅极电介质位于所述栅电极和所述鳍之间，所述鳍具有包括锗的上部区域以及包括锗的下部区域，所述下部区域具有与绝缘体材料构成的区域相邻并接触的相对侧壁，并且所述上部区域具有与所述栅极电介质直接相邻并接触的相对侧壁，下部区域相对侧壁每者具有第一化学成分，并且上部区域相对侧壁每者具有不同于所述第一化学成分的第二化学成分，所述第一化学成分包括氧、氮、碳、氯、氟或硫中的一者或多者；

其中，在第一位置处所述下部区域相对侧壁之间的第一宽度比在第二位置处所述上部区域相对侧壁之间的第二宽度宽至少1纳米(nm)，所述第一位置在所述第二位置的10nm以内。

2.根据权利要求1所述的IC，进一步包括源极区和漏极区，所述鳍的所述上部区域位于所述源极区和所述漏极区之间。

3.根据权利要求1所述的IC，其中，所述栅极电介质包括高k电介质材料。

4.根据权利要求1所述的IC，其中，所述第一宽度比所述第二宽度宽至少5nm。

5.根据权利要求1所述的IC，其中，所述第一宽度比所述第二宽度宽至少10nm。

6.根据权利要求1所述的IC，其中，所述第一化学成分包括比所述第二化学成分至少多10原子百分比的锗。

7.根据权利要求1所述的IC，其中，所述第一化学成分包括比所述第二化学成分至少多20原子百分比的锗。

8.根据权利要求1所述的IC，其中，所述第一化学成分包括至少40原子百分比的锗。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的IC，其中，所述下部区域包括位于所述下部区域相对侧壁之间的体块区域，所述体块区域具有体块化学成分，所述体块化学成分包括处于所述第二化学成分的锗浓度的5原子百分比以内的锗浓度。

10.根据权利要求9所述的IC，其中，所述第一化学成分包括比所述体块化学成分至少多10原子百分比的锗。

11.根据权利要求1-8中的任一项所述的IC，其中，所述下部区域包括位于所述下部区域相对侧壁之间的体块区域，所述体块区域具有体块化学成分，所述体块化学成分包括比所述第二化学成分的锗浓度高至少10原子百分比的锗浓度。

12.根据权利要求11所述的IC，其中，所述第一化学成分包括比所述体块化学成分至少多10原子百分比的锗。

13.根据权利要求1-8中的任一项所述的IC，其中，所述氧、氮、碳、氯、氟或硫中的一者或多者以高于1E12原子/平方厘米的所述下部区域相对侧壁的表面浓度包括在所述第一化学成分当中。

14.根据权利要求1-8中的任一项所述的IC，其中，所述第二化学成分包括硅、锡、铟、镓、砷和铝中的一者或多者。

15.根据权利要求1-8中的任一项所述的IC，其中，所述第一化学成分从所述下部区域相对侧壁的每者的外表面在其间延伸达0.5到10nm的距离。

16.根据权利要求1-8中的任一项所述的IC，其中，所述上部区域包括纳米线，使得所述栅极结构环绕包覆所述纳米线。

17.一种包括根据权利要求1-8中的任一项所述的IC的计算系统。