[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201780094358.7 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN111052410B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 塚本优人;川户伸一;梅田时由;二星学;仲西洋平;內海久幸;兼弘昌行;冈本翔太 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 郝家欢 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的特征在于，
所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的，
具备边缘罩，所述边缘罩具有多个开口，并在多个像素区域规定所述激子生成层和所述发光层，在所述多个开口的各个中，所述激子生成层覆盖开口，所述发光层跨越所述边缘罩的上端，覆盖所述激子生成层和所述开口。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
在所述量子点中产生的激子通过偶极振动的共振现象，向所述发光体的激发能级跃迁，从而所述发光体发光。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点的发光频谱的峰值波长比所述发光体的发光频谱的峰值波长短。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点的发光频谱的峰值波长包含在所述发光体的吸收频谱中。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述发光体的吸收频谱的峰值波长包含在所述量子点的发光频谱中。
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点在所述激子生成层中的浓度为10质量百分比至30质量百分比。
7.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述发光体在所述发光层中的浓度为0.1质量百分比至1质量百分比。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述激子生成层和所述发光层具备感光性材料，所述量子点和所述发光体分散在所述激子生成层和所述发光层的各自的所述感光性材料中。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述激子生成层作为空穴输送层发挥功能。
10.一种发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的特征在于，
所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的，
在所述激子生成层与所述发光层之间，具备空穴不通过的空穴阻挡层。
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