[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201780094358.7 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN111052410B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 塚本优人;川户伸一;梅田时由;二星学;仲西洋平;內海久幸;兼弘昌行;冈本翔太 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
本发明的目的在于提供一种能够得到更高效率、长寿命的荧光发光的发光器件,本发明提供一种发光器件(2),其具备:分散有量子点(20)的激子生成层(8);分散有发光体(22)并与所述激子生成层(8)在上下方向上相邻的发光层(10),其中,所述发光体(22)是荧光体或者磷光体;比所述激子生成层(8)以及所述发光层(10)靠下层的第一电极(4);以及比所述激子生成层(8)以及所述发光层(10)靠上层的第二电极(16),所述量子点(20)的发光频谱与所述发光体(22)的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。
技术领域
本发明涉及一种具备包含量子点的发光元件的发光器件。
背景技术
在专利文献1中,存在与发光器件相关的记载,该发光器件具备两个电极和包含量子点的该电极间的发光层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国公开特许公报“特开2006-185985号(2006年7月13日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1中,在发光层中含有的量子点进行激子的生成。这样,在发光层中,当进行激子的生成时,存在发光效率降低的问题。
另外,在通过涂布形成发光层的情况下,与通过蒸镀形成发光层的情况相比,在发光器件中容易混入杂质,存在发光器件的元件的发光寿命变短的问题。
解决问题的手段
为了解决上述问题,本发明的发光器件,具备:分散有量子点的激子生成层;分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层,其中,所述发光体是荧光体或者磷光体;比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极;以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极,其中,所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。
另外,本发明的发光器件的制造方法,所述发光器件具备:分散有量子点的激子生成层;分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层,其中,所述发光体是荧光体或者磷光体,吸收频谱的至少一部分与所述量子点的发光频谱重叠;比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极;以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极,所述发光器件的制造方法具备如下工序:形成所述激子生成层的激子生成层形成工序;以及形成所述发光层的发光层形成工序。所述发光层可以通过涂布工序形成,但更优选通过蒸镀工序形成。
另外,本发明的发光器件的制造装置,具备成膜装置,所述成膜装置形成:分散有量子点的激子生成层;分散有发光体的发光层,其中,所述发光体是荧光体或者磷光体,吸收频谱的至少一部分与所述量子点的发光频谱重叠;比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极;以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极。
发明效果
通过上述结构,能够提供一种能够得到更高效率、长寿命的发光的发光器件。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1所涉及的发光器件的概略截面图、和该发光器件的量子点的发光频谱和荧光体的吸收频谱的例子的图。
图2是本发明的实施方式1所涉及的发光器件中的量子点和荧光体的分子轨道图、和用于说明该发光器件的发光机构的图。
图3是用于说明本发明的实施方式1所涉及的发光器件的制造方法的流程图。
图4是本发明的变形例所涉及的发光器件的概略截面图。
图5是本发明的实施方式2所涉及的发光器件的概略俯视图和概略截面图。
图6是用于说明本发明的实施方式2所涉及的发光器件的边缘罩、激子生成层以及发光层的形成位置的关系的概略俯视图。
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