[发明专利]有源硅上封装半导体封装

权利要求书

1.一种硅上封装（PoS）半导体封装，包括：

有源硅衬底，所述有源硅衬底具有：

上表面；

下表面；以及

跨所述上表面设置的多个传导结构；

其中所述多个传导结构包括：

采用第一模式跨所述有源硅衬底的所述上表面设置的传导结构的第一部分；以及

采用第二模式跨所述有源硅衬底的所述上表面设置的传导结构的第二部分；

第一半导体封装，所述第一半导体封装具有上表面、下表面和采用所述第一模式跨所述第一半导体封装的所述下表面设置的多个传导凸块；

其中所述多个传导凸块使所述第一半导体封装通信地耦合到设置在所述有源硅衬底上的传导结构的所述第一部分；以及

第二半导体封装，所述第二半导体封装具有上表面和下表面；

设置所述第二半导体封装使得所述第一半导体封装的至少一部分被设置在所述第二半导体封装的所述下表面与所述有源硅衬底的所述上表面之间；以及

所述第二半导体封装经由多个传导构件通信地耦合到设置在所述有源硅衬底上的传导结构的所述第二部分中的至少一些，其中所述有源硅衬底使所述第一半导体封装通信地耦合到所述第二半导体封装。

2. 如权利要求1所述的PoS半导体封装：

其中所述第一模式包括设置在50微米（μm）或更少的第一节距上的传导结构；以及

其中所述第二模式包括设置在150μm或更多的第二节距上的传导结构。

3.如权利要求2所述的PoS半导体封装，其中一个或多个粘合剂使所述第二半导体封装的所述下表面物理耦合到所述第一半导体封装的所述上表面的至少一部分。

4.如权利要求3所述的PoS半导体封装，其中所述第二半导体封装的所述下表面伸出所述第一半导体封装的所述上表面的边缘的至少一部分。

5. 如权利要求4所述的PoS半导体封装：

其中所述第二半导体封装的所述下表面上的所述多个传导凸块包括多个传导凸块，所述多个传导凸块设置在所述第二半导体封装的伸出所述第一半导体封装的所述上表面的所述部分周围；以及

其中所述多个传导构件包括多个传导柱，所述多个传导柱使所述多个传导凸块中的至少一些通信地耦合到设置在所述有源硅衬底的所述上表面上的传导结构的所述第二部分中的至少一些，所述多个传导凸块设置在所述第二半导体封装的伸出所述第一半导体封装的所述上表面的所述部分周围。

6.如权利要求2所述的PoS半导体封装，还包括设置在所述第一半导体封装的所述上表面与所述第二半导体封装的所述下表面之间的中介层，所述中介层包括：

跨所述中介层的上表面设置的多个传导衬垫；

跨所述中介层的下表面的至少一部分设置的多个传导结构；以及

多个导体，所述多个导体使设置在所述中介层的所述上表面上的所述多个传导衬垫中的至少一些通信地耦合到设置在所述中介层的所述下表面上的所述多个传导结构中的至少一些。

7. 如权利要求6所述的PoS半导体封装：

其中设置在所述第二半导体封装的所述下表面上的所述多个传导凸块中的至少一些中的每个传导凸块，物理且通信地耦合到跨所述中介层的所述上表面设置的所述多个传导衬垫中的对应传导衬垫；以及

其中所述中介层包括跨所述中介层的所述下表面的至少一部分设置的粘合剂，用于使所述第二半导体封装和所述中介层物理耦合到所述第一半导体封装。

8.如权利要求7所述的PoS半导体封装，其中所述中介层的所述下表面伸出所述第一半导体封装的所述上表面的边缘的至少一部分。