[发明专利]微电子组件在审

专利信息
申请号: 201780095210.5 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN111133574A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: A·阿列克索夫;J·M·斯旺 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张海燕
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 微电子 组件
【说明书】:

本文公开了微电子组件以及相关的器件和方法。例如,在一些实施例中,微电子组件可以包括封装衬底,该封装衬底包括:具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料、在第二表面的至少一部分上的第一光可限定材料、以及在第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料,其中,第二光可限定材料具有与第一光可限定材料不同的材料成分。

背景技术

集成电路管芯通常被耦合到封装衬底以实现机械稳定性并且有利于连接到其他部件,例如电路板。由常规衬底可实现的互连间距(pitch)受到制造、材料和热考虑因素等的约束。

附图说明

通过以下具体实施方式,结合附图,将容易理解实施例。为了方便这种描述,类似的附图标记指示类似的结构元件。在附图的图中通过举例而非限制的方式示出了各实施例。

图1是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。

图2是根据各实施例,图1的微电子组件中包括的管芯的底视图。

图3-11是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。

图12-16是根据各实施例的微电子组件中多个管芯的示例布置的顶视图。

图17A-17F是根据各实施例,用于制造图5的微电子组件的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。

图18A-18B是根据各实施例,用于制造图5的微电子组件的另一示例工艺中各个阶段的侧视截面图。

图19A-19H是根据各实施例,用于制造图5的微电子组件的另一示例工艺中各个阶段的侧视截面图。

图20是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。

图21A-21B是根据各实施例,用于制造图20的微电子组件的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。

图22-25是根据各实施例,可以包括在微电子组件中的封装衬底的侧视截面图。

图26是根据各实施例的封装衬底中凹槽的顶视图。

图27A-27E是根据各实施例,用于制造图22的封装衬底的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。

图28A-28B是根据各实施例,可以包括在微电子组件中的封装衬底的侧视截面图。

图29A-29D是根据各实施例,用于制造图28的封装衬底的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。

图30是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。

图31是根据本文公开的任一实施例,可以包括在微电子组件中的晶圆和管芯的顶视图。

图32是根据本文公开的任一实施例,可以包括在微电子组件中的集成电路(IC)器件的侧视截面图。

图33是根据本文公开的任一实施例,可以包括微电子组件的IC器件组件的侧视截面图。

图34是根据本文公开的任一实施例,可以包括微电子组件的示例电器件的框图。

具体实施方式

本文公开了微电子组件以及相关的器件和方法。例如,在一些实施例中,微电子组件可以包括封装衬底,该封装衬底包括具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料、在第二表面的至少一部分上的第一光可限定(photodefinable)材料,以及在第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料,其中第二光可限定材料具有与第一光可限定材料不同的材料成分。

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