[发明专利]具有掩埋栅的场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

源极；

漏极；

半导体材料，其被设置在所述源极和所述漏极之间；

第一栅极，其与所述半导体材料相邻设置；以及

第二栅极，其与所述半导体材料相邻设置，所述半导体材料的一部分被设置于所述第一栅极和所述第二栅极之间。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述半导体材料的所述部分是第一部分，所述第一栅极被设置于所述半导体材料的所述第一部分与所述半导体材料的第二部分之间。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述半导体材料的所述第一部分和所述半导体材料的所述第二部分是所述半导体材料的整体层的部分。

4.根据权利要求2所述的晶体管，还包括与所述第一栅极相邻的结合氧化物，所述半导体材料的所述第一部分通过所述结合氧化物耦合到所述半导体材料的所述第二部分。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述半导体材料是第一半导体材料，所述晶体管还包括第二半导体材料，所述第一半导体材料的所述第二部分被设置于所述第一栅极和所述第二半导体材料之间。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，与所述第一半导体材料相比，所述第二半导体材料具有较宽的带隙。

7.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第一栅极和所述第二半导体材料之间的距离小于或等于由所述第一栅极在通电时产生的电场的有效控制范围。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的晶体管，其中，所述第一栅极的至少一部分和所述第二栅极的至少一部分垂直对准。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的晶体管，其中，所述第一栅极和所述第二栅极之间的距离小于与所述第一栅极相关联的第一有效控制范围和与所述第二栅极相关联的第二有效控制范围的组合距离，当所述第一栅极和所述第二栅极通电时，所述第一有效控制范围和所述第二有效控制范围对应于将由所述第一栅极和所述第二栅极产生的电场。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的晶体管，其中，所述第一栅极电连接到所述第二栅极，以将所述第一栅极和所述第二栅极保持在相同的电位。

11.一种场效应晶体管，包括：

源极；

漏极；

半导体层；

掩埋栅，其被设置于所述半导体层的顶面下方；以及

顶栅，其被设置于所述半导体层的所述顶面上方，所述掩埋栅和所述顶栅用于激活所述源极和所述漏极之间的沟道。

12.根据权利要求11所述的晶体管，其中，所述掩埋栅嵌入所述半导体层内，所述半导体层围绕所述掩埋栅。

13.根据权利要求11所述的晶体管，其中，所述掩埋栅在所述半导体层的第一部分与所述半导体层的第二部分之间。

14.根据权利要求13所述的晶体管，其中，与所述掩埋栅相比，所述半导体层的所述第一部分被设置为与所述顶栅较近，与所述掩埋栅相比，所述半导体层的所述第二部分被设置为较远离所述顶栅。

15.一种晶体管，包括：

半导体衬底；

源极；

漏极；

栅极，其具有有效控制范围以激活所述源极和所述漏极之间的所述半导体衬底中的沟道；以及

用于延伸所述栅极的所述有效控制范围的装置。

16.根据权利要求15所述的晶体管，其中，所述用于延伸的装置被掩埋在所述半导体衬底的至少一部分下方。