[发明专利]准分子激光装置和电子器件的制造方法

说明书

本公开的准分子激光装置具有：腔，其在内部包含激光气体和一对电极，激光气体的气压根据对一对电极之间施加的电压被进行控制，由此生成进行脉冲振荡的激光；电源，其对一对电极之间施加电压；以及控制器，其输入激光的谱线宽度的目标值，在目标值从第1目标值变化为第2目标值的情况下，根据将第2目标值作为参数的第1函数对气压的控制中使用的电压进行校正，根据校正后的电压对气压进行控制。

技术领域

本公开涉及准分子激光装置和电子器件的制造方法。

背景技术

近年来，在半导体曝光装置(以下称为“曝光装置”)中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。一般而言，在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的激光的ArF准分子激光装置。

作为新时代的曝光技术，曝光装置侧的曝光用透镜与晶片之间被液体充满的液浸曝光已经实用化。在该液浸曝光中，曝光用透镜与晶片之间的折射率变化，因此，曝光用光源的外观的波长变短。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光(或ArF液浸光刻)。

KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡幅度较宽，大约为350～400pm。因此，当利用如下材料构成投影透镜时，有时产生色像差，该材料透射KrF和ArF激光这样的紫外线。其结果，分辨率会降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色像差的程度。因此，为了对谱线宽度进行窄带化，有时在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line NarrowModule：LNM)。下面，将谱线宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-104846号公报

专利文献2：日本特开2013-98239号公报

专利文献3：日本特许第4911558号公报

发明内容

本公开的准分子激光装置具有：腔，其在内部包含激光气体和一对电极，激光气体的气压根据对一对电极之间施加的电压被进行控制，由此生成进行脉冲振荡的激光；电源，其对一对电极之间施加电压；以及控制器，其输入激光的谱线宽度的目标值，在目标值从第1目标值变化为第2目标值的情况下，根据将第2目标值作为参数的第1函数对气压的控制中使用的电压进行校正，根据校正后的电压对气压进行控制。

本公开的电子器件的制造方法包含以下步骤：通过激光系统生成激光，将激光输出到曝光装置，通过曝光装置在感光基板上曝光激光，以制造电子器件，激光系统具有：腔，其在内部包含激光气体和一对电极，激光气体的气压根据对一对电极之间施加的电压被进行控制，由此生成进行脉冲振荡的激光；电源，其对一对电极之间施加电压；以及控制器，其输入激光的谱线宽度的目标值，在目标值从第1目标值变化为第2目标值的情况下，根据将第2目标值作为参数的第1函数对气压的控制中使用的电压进行校正，根据校正后的电压对气压进行控制。

附图说明

下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。

图1概略地示出比较例的激光装置的一个结构例。

图2示出作为谱线宽度的一例的FWHM的概要。

图3示出作为谱线宽度的一例的E95的概要。

图4是示出比较例的激光装置中的激光控制部进行的激光振荡的控制动作的流程的一例的主流程图。