[发明专利]半导体装置的试验方法及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的试验方法，该半导体装置形成了在形成有元件的基板晶片和与所述基板晶片相对地设置的盖晶片之间具有气密空间的封装件，

该半导体装置的试验方法的特征在于，包含下述工序：

水分赋予工序，在将所述半导体装置暴露于高湿环境之后进行冷却；以及

泄漏判别工序，通过向在所述基板晶片形成的元件供给电力，对所述半导体装置产生的声波进行检测而判别所述封装件的泄漏。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

所述盖晶片由单晶材料构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

在所述泄漏判别工序中，供给电力的元件是高频放大用晶体管。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

在所述泄漏判别工序中，供给电力的元件是高频放大用晶体管。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

通过传声器而进行所述声波的检测。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

使用悬臂而对所述盖晶片的振动进行检测，由此进行所述声波的检测。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

将光照射至所述盖晶片的表面，根据由所述盖晶片的表面反射出的反射光的移位而检测所述盖晶片的振动，由此进行所述声波的检测。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含下述工序：

元件形成工序，在基板晶片形成元件；

封装件形成工序，与所述基板晶片相对地设置盖晶片，形成在存在所述元件的区域具有气密空间的封装件；以及

通过所述权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的试验方法而判别所述封装件的泄漏的工序。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述封装件形成工序中，包含针对1片所述基板晶片而形成多个封装件，以每个封装件为单位进行单片化的工序。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述封装件形成工序中，包含如下工序：针对1片所述基板晶片而形成多个封装件，在各个封装件的与相邻的封装件之间处的所述盖晶片形成贯通孔。

11.一种半导体装置的试验方法，该半导体装置形成了在形成有元件的基板晶片和与所述基板晶片相对地设置的盖晶片之间具有气密空间的封装件，

该半导体装置的试验方法的特征在于，包含下述工序：

水分赋予工序，将所述半导体装置暴露于高湿环境；以及

泄漏判别工序，向在所述基板晶片形成的元件供给电力，对所述半导体装置产生的声波进行检测，通过从开始向所述元件供给电力起至检测到所述声波为止的时间而判别所述封装件的泄漏。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

在所述水分赋予工序中，包含在将所述半导体装置暴露于高湿环境之后进行冷却的工序。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

所述盖晶片由单晶材料构成。

14.根据权利要求12所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

所述盖晶片由单晶材料构成。

15.根据权利要求11所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，

在所述泄漏判别工序中，供给电力的元件是高频放大用晶体管。