[发明专利]半导体装置的试验方法及半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的试验方法，该半导体装置形成了在形成有元件的基板晶片(1)和与所述基板晶片(1)相对地设置的盖晶片(3)之间具有气密空间(7)的封装件，该半导体装置的试验方法包含下述工序：水分赋予工序，在将所述半导体装置暴露于高湿环境之后进行冷却；以及泄漏判别工序，通过向在所述基板晶片(1)形成的元件(4)供给电力，对所述半导体装置产生的声波进行检测而判别所述封装件的泄漏。

技术领域

本发明涉及晶片级芯片尺度封装件(WL-CSP)构造的半导体装置的气密性评价。

背景技术

半导体装置的气密性评价是通过被通称为精密泄漏试验的方法而进行评价的，该精密泄漏试验是在制作器件后，将其暴露于以数个大气压进行了加压的氦气气氛，向气密性差的器件注入氦气之后，通过氦气检测器而对侵入的氦气进行评价(例如参照专利文献1)。就该方法而言，由于氦气加压、检测需要数个小时，因此难以个别地对器件进行评价，需要集中几十至几百个器件而进行评价。因此，在发现了泄露时，需要将检查批次集中废弃，或者以每次较少的量对器件进行分割而多次进行评价，存在检查耗费时间的问题。另外，在半导体器件为晶片级芯片尺度封装件的情况下，与通常的电子器件的封装件相比，容积小，被注入的氦气的量少，因此存在无法充分地得到泄漏的检测灵敏度的问题。

另外，作为对耐湿性进行试验的方法，存在一边使器件工作一边将器件暴露于高温高湿气氛，根据器件特性的变化来检测泄漏的方法(例如专利文献2)。根据该方法，为了在高温高湿状态下向各器件通电，需要复杂构造的评价装置，存在检测需要数日以上的问题。

专利文献1：日本特开2004-23054号公报

专利文献2：日本特开2010-245348号公报

发明内容

如上所述，根据精密泄漏试验，检查耗费时间，另外，在应用于晶片级芯片尺度封装件的情况下，有可能无法充分地得到泄漏的检测灵敏度，检查精度变差。另外，专利文献2的方法也存在检查耗费时间的问题。

本发明就是为了解决上述这样的问题而提出的，其目的在于提供检查所需的时间短、在应用于晶片级芯片尺度封装件的情况下泄漏的检测灵敏度高的半导体装置的试验方法。

在本发明涉及的半导体装置的试验方法中，该半导体装置形成了在形成有元件的基板晶片和与基板晶片相对地设置的盖晶片之间具有气密空间的封装件，该半导体装置的试验方法包含下述工序：水分赋予工序，在将半导体装置暴露于高湿环境之后进行冷却；以及泄漏判别工序，通过向在基板晶片形成的元件供给电力，对半导体装置产生的声波进行检测而判别封装件的泄漏。

发明的效果

根据本发明，就晶片级芯片尺度封装件的泄漏试验而言，能够进行时间短、精度高的试验。

附图说明

图1是用于对本发明的实施方式1涉及的半导体装置的试验方法进行说明的半导体装置的剖面图。

图2是表示半导体装置的制造方法的流程图，该半导体装置的制造方法包含本发明的实施方式1涉及的半导体装置的试验方法。

图3是用于对本发明的实施方式1涉及的半导体装置的试验方法进行说明的另一个半导体装置的剖面图。

图4是用于对本发明的实施方式2涉及的半导体装置的试验方法进行说明的半导体装置的剖面图。

图5是表示半导体装置的制造方法的流程图，该半导体装置的制造方法包含本发明的实施方式2涉及的半导体装置的试验方法。

图6是用于对本发明的实施方式2涉及的半导体装置的试验方法进行说明的线图。

图7是用于对本发明的实施方式3涉及的半导体装置的试验方法进行说明的半导体装置的剖面图。