[发明专利]半导体部件、组合体以及半导体部件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体部件，其特征在于，包括：

半导体层，包含：绕组部、以及与所述绕组部的末端部连接后从所述绕组部的末端部绕回至起始端侧的绕回线部，

所述绕组部以及所述绕回线部被配置在测定对象的四周从而将所述测定对象包围，

所述绕组部埋设在所述半导体层内，

所述绕回线部不从所述绕组部内穿过，

所述半导体部件具有多个独立的测定单元，

各所述测定单元具有所述绕组部以及所述绕回线部，

某个测定单元的所述绕组部的末端部与另一个测定单元的所述绕组部的起始端部相连接，

某个测定单元的所述绕回线部的起始端部与另一个测定单元的所述绕回线部的末端部相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于：

其中，所述测定单元为柱形。

3.根据权利要求1或2所述的半导体部件，其特征在于：

其中，所述测定单元的数量为四个，

四个所述测定单元包括：第一测定单元、与所述第一测定单元相连接的第二测定单元、与所述第二测定单元相连接的第三测定单元、以及与所述第三测定单元相连接并且具有绕组部的末端部和绕回线部的起始端部的第四测定单元，

所述第二测定单元与所述第三测定单元为相同结构。

4.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于：

其中，所述测定对象为电子装置，

多个测定单元被配置为从侧面将所述电子装置包围。

5.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于：

其中，所述测定对象为检测对象部，所述检测对象部处流通有在电子装置内流通的电流中的至少一部分电流，

所述半导体部件将所述检测对象部包围。

6.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于：

其中，所述测定对象为检测对象部，所述检测对象部处流通有在电子装置内流通的电流中的至少一部分电流，

所述半导体部件具有：所述检测对象部、以及将所述检测对象部包围的所述绕组部以及所述绕回线部。

7.一种组合体，其特征在于，包括：

半导体部件，具有包含绕组部的半导体层，并且被配置为将测定对象包围；

以及绕回线部，与所述绕组部的末端部连接后从所述绕组部的末端部绕回至起始端侧，

所述绕组部埋设在所述半导体层内，

所述绕回线部不从所述绕组部内穿过，

所述绕组部以及所述绕回线部被配置在测定对象的四周从而将所述测定对象包围，

所述半导体部件具有多个独立的测定单元，

各所述测定单元具有所述绕组部以及所述绕回线部，

某个测定单元的所述绕组部的末端部与另一个测定单元的所述绕组部的起始端部相连接，

某个测定单元的所述绕回线部的起始端部与另一个测定单元的所述绕回线部的末端部相连接。

8.一种具有多个独立的测定单元的半导体部件的制造方法，其特征在于，各所述测定单元的制造方法包括：

在半导体层上部分形成第一绝缘膜的工序；

利用所述第一绝缘膜形成沟槽的工序；

在所述沟槽的内侧壁以及内底面形成第二绝缘膜的工序；

在形成有所述第二绝缘膜的沟槽内以及所述半导体层的一侧配置导电性材料的工序；

通过将所述导电性材料图案化，形成绕组部、以及在绕组部的边缘内部或边缘外部形成绕回线部的工序；以及

利用第三绝缘膜覆盖所述绕组部以及所述绕回线部的工序，

其中，所述绕组部埋设在所述半导体层内，

所述绕回线部不从所述绕组部内穿过，

各所述测定单元具有所述绕组部以及所述绕回线部，

某个测定单元的所述绕组部的末端部与另一个测定单元的所述绕组部的起始端部相连接，

某个测定单元的所述绕回线部的起始端部与另一个测定单元的所述绕回线部的末端部相连接，

所述绕组部以及所述绕回线部被配置在测定对象的四周从而将所述测定对象包围。