[发明专利]半导体部件、组合体以及半导体部件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780097068.8 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN111373271B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 铃木健一;指田和之;山地瑞枝;吉田贤一;九里伸治 申请(专利权)人: 新电元工业株式会社
主分类号: G01R15/18 分类号: G01R15/18;G01R19/00;H01F5/00
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 部件 组合 以及 制造 方法
【说明书】:

发明的半导体部件150,包括:半导体层1,包含:绕组部10、以及与所述绕组部10的末端部连接后从所述绕组部10的末端部绕回至起始端侧的绕回线部50,所述半导体部件150被配置为将测定对象包围。

技术领域

本发明涉及一种在半导体层上具有绕组部的半导体部件、组合体以及半导体部件的制造方法。

背景技术

以往,使用罗氏线圈的电流检测传感器已被普遍认知。罗氏线圈是一种空芯线圈,其具有绕组芯、缠绕在绕组芯上的绕组、以及与绕组的末端部连接并绕回至起始端侧的绕回线(例如,参照特开2012-88224号)。罗氏线圈连接至积分器,并且通过该积分器对输出电压进行积分,就能够测量被测对象中的电流变化。在这种罗氏线圈中,每单位距离的匝数越高,其灵敏度就越高。

而另一方面,业界提出了一种能够检测流过半导体部件(例如,开关元件)的电流的变化的传感器。但是,这种传感器不能以足够的精度检测在半导体器件中流动的电流的变化,并且在添加该传感器的情况下,还会导致整个装置的尺寸增大。

本发明鉴于上述情况,目的是提供一种半导体部件、组合体以及半导体部件的制造方法,能够在尺寸不发生大的变化的情况下,进行高精度的检测。

发明内容

本发明涉及的半导体部件,其特征在于,包括:半导体层,包含:绕组部、以及与所述绕组部的末端部连接后从所述绕组部的末端部绕回至起始端侧的绕回线部,所述半导体部件被配置为将测定对象包围。

在本发明的半导体部件中,所述绕回线部不从所述绕组部中穿过。

在本发明的半导体部件中,所述半导体部件具有多个测定单元,各测定单元具有所述绕组部以及所述绕回线部,某个测定单元的所述绕组部的末端部与另一个测定单元的所述绕组部的起始端部相连接,某个测定单元的所述绕回线部的起始端部与另一个测定单元的所述绕回线部的末端部相连接。

在本发明的半导体部件中,所述测定单元为柱形。

在本发明的半导体部件中,所述测定对象为电子装置,多个测定单元被配置为从侧面将所述电子装置包围。

在本发明的半导体部件中,所述测定对象为检测对象部,所述检测对象部处流通有在电子装置内流通的电流中的至少一部分电流,所述半导体部件将所述检测对象部包围。

在本发明的半导体部件中,所述测定对象为检测对象部,所述检测对象部处流通有在电子装置内流通的电流中的至少一部分电流,所述半导体部件具有:所述检测对象部、以及将所述检测对象部包围的所述绕组部以及所述绕回线部。

本发明涉及的组合体,包括:半导体部件,具有包含绕组部的半导体层,并且被配置为将测定对象包围;以及绕回线部,与所述绕组部的末端部连接后从所述绕组部的末端部绕回至起始端侧。

本发明涉及的半导体部件的制造方法,包括:在半导体层上部分形成第一绝缘膜的工序;利用所述第一绝缘膜形成沟槽的工序;在所述沟槽的内侧壁以及内底面形成第二绝缘膜的工序;在形成有所述第二绝缘膜的沟槽内以及所述半导体层的一侧配置导电性材料的工序;通过将所述导电性材料图案化,形成绕组部、以及在绕组部的边缘内部或边缘外部形成绕回线部的工序;以及利用第三绝缘膜覆盖所述绕组部以及所述绕回线部的工序。

发明效果

在本发明中,由于在半导体层上配置有绕组部,因此通过利用半导体装置的制造技术来实现精细化结构,从而增加单位长度上的匝数。这样一来,就能够高精度地检测电流的变化。另外,由于能够精细化绕组部的结构,因此能够实现半导体部件的小型化。通过本发明的半导体部件,还能够对现有的半导体装置等实施运行检测,因此其具有高泛用性。

附图说明

图1是可用于本发明的第一实施方式的半导体部件的平面图。

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