[其他]测量装置和压印设备

说明书

公开了测量装置和压印设备。测量装置(100)适于测量像用于纳米压印光刻的光刻胶这样的待监控流体(200)的多个性质。测量装置(100)包括：流量电容器装置(101)，具有流体入口及流体出口，流量电容器装置(101)被构造成使待监控流体(200)能从流体入口至流体出口而通过流量电容器装置；以及评估单元(300)，电连接至流量电容器装置(101)，评估单元(300)适于在流体通过期间测定流量电容器装置(101)的电容。

技术领域

本公开内容的数个实施方式涉及流体参数分析的领域，本公开内容的数个实施方式尤其涉及紫外线固化漆(UV-curable lacquer)的浓度测量，紫外线固化漆例如是光刻胶/载体溶剂混合物。

背景技术

在微电子制造技术中，广泛地采用将三维(3-D)结构沉积至薄膜或箔上的技术。针对薄膜沉积的最新的技术是基于纳米压印光刻技术(nano-imprint lithography，NIL)。在这个工艺中，紫外线或电子束固化漆被直接印在待处理的膜上，紫外线或电子束固化漆例如是混合有载体溶剂的液体光刻胶。接着，固化紫外线或电子束固化漆/溶剂混合物。然后，在膜上的数层可在没有紫外线或电子束固化漆膜存在的位置处受到蚀刻。纳米压印工艺是关键的，因为必须在非常有限的范围内调整光刻胶层的厚度。如果膜厚太大，则蚀刻发生问题。如果膜厚太小，则在光刻工艺期间失败或发生结构问题。

印于待处理的膜上的材料包括紫外线或电子束固化漆与载体溶剂的混合物，紫外线或电子束固化漆例如是光刻胶。该混合物可包含预混合/预定的部件，或混合物可以被制备为“即时混合的(mixed-on-the-fly)”。光刻胶及载体溶剂一般呈现不同的沸点。因此，在光刻工艺期间，光刻胶材料与载体溶剂之间的流体混合比可能改变，使得上述的适合膜厚可能再也无法维持。

为了监控紫外线或电子束固化漆(例如光刻胶)与载体溶剂的混合比，染料和/或示踪剂(tracers)可用作为添加剂。然而，由于光刻胶-溶剂混合物的可能污染的缘故，这种监控过程可能对待监控流体的性质有有害的影响。

另外，红外光谱术(IR spectroscopy)是一种用以测量流体成分的公知技术。在这方面来说，傅立叶变换红外光谱术(Fourier transform infrared spectroscopy，FTIR)是一种用以分析流体的化学成分的常见技术。然而，由于光刻胶材料及载体溶剂材料的化学相似性的缘故，这种光谱术测量技术容易出错(error-prone)。

有鉴于上述原因，一种改善的流体测量系统会是有利的。

实用新型内容

有鉴于上述情形，本公开内容提供以下方案。

根据一方面，提出一种测量装置，适于测量待监控流体的数个性质。该测量装置包括：流量电容器装置，具有流体入口及流体出口，流量电容器装置被构造成使待监控流体从流体入口至流体出口而通过流量电容器装置；以及评估单元，电连接于流量电容器装置，评估单元适于在流体通过期间测定流量电容器装置的电容。

根据进一步的方面，所述测量装置还包括参考电容器，电连接至所述评估单元，其中所述参考电容器包括电介质参考介质。

根据进一步的方面，所述参考电容器包括流体通路，所述流体通路适于使作为电介质参考介质提供的参考流体通过所述参考电容器。

根据进一步的方面，所述流量电容器装置选自由平行板电容器 (parallel-platecapacitor)、柱状电容器(cylindrical capacitor)及其任何组合所组成的群组。

根据进一步的方面，所述评估单元包括电容测量电桥，其中所述电容测量电桥为维恩测量电桥(Wien measurement bridge)，所述维恩测量电桥包括所述流量电容器装置及所述参考电容器两者。