[发明专利]应用于高频信号传输的铜箔以及线路板组件的制造方法在审
申请号: | 201810001370.5 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN109898106A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 林士晴;陈黼泽;陈国钊;黄钰茹 | 申请(专利权)人: | 南亚塑胶工业股份有限公司 |
主分类号: | C25D3/38 | 分类号: | C25D3/38;C25D3/56;C25D3/04;C25D5/12;C25D1/04;C25D7/06;H05K1/09;H05K3/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;张福根 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜箔 粗化处理层 高频信号传输 线路板组件 箔层 非铜 表面处理层 金属元素 预定表面 应用 制造 表面粗糙度 粗化处理 电解铜箔 固化处理 导电度 铜瘤 阻抗 电解 | ||
1.一种应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,所述应用于高频信号传输的铜箔的制造方法包括:
通过一电解方法以形成一生箔层,其中,所述生箔层具有一预定表面;
形成一粗化处理层于所述生箔层的所述预定表面,其中,形成所述粗化处理层的步骤还进一步包括:执行一无砷粗化处理以及执行一无砷固化处理;以及
形成一表面处理层于所述粗化处理层上,其中,构成所述表面处理层的材料包括至少一种非铜的金属元素,且在所述铜箔中的所述非铜的金属元素的总含量不超过400ppm。
2.如权利要求1所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,所述表面处理层的厚度与所述铜箔的总厚度比值是介于1.0×10-5至3.0×10-4之间。
3.如权利要求2所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,所述表面处理层的厚度为10至
4.如权利要求1所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,所述铜箔所包含至少一种非铜元素,且所述铜箔中的所述非铜元素的总含量≦450ppm。
5.如权利要求1所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,构成所述表面处理层的材料选自由锌、镍、铬及其任意组合所组成的群组。
6.如权利要求5所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,构成所述表面处理层的材料包括锌、铬及镍,且在所述铜箔中的锌含量为50至175ppm,所述铜箔中的镍含量为20至155ppm,且所述铜箔中的铬含量为20至70ppm。
7.如权利要求1所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,形成所述表面处理层的步骤包括:执行一抗热电镀处理,以形成一锌合金抗热层,其中,在执行所述抗热电镀处理时所使用的第一电镀液组成包括1至4g/L的锌以及0.3至2.0g/L的镍,且在执行所述抗热电镀处理时所使用的电流密度是0.4至2.5A/dm2。
8.如权利要求7所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,形成所述表面处理层的步骤还进一步包括:执行一抗氧化电镀处理,以形成一抗氧化层,其中,在执行所述抗氧化电镀处理时所使用的第二电镀液组成包括1至4g/L的氧化铬以及5至20g/L的氢氧化钠,且在执行所述抗氧化电镀处理时所使用的电流密度是0.3至3.0A/dm2。
9.如权利要求1所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,执行所述无砷粗化处理时所使用的粗化电镀液以及执行所述无砷固化处理时所使用的固化电镀液都是无砷电镀液,且执行所述无砷粗化处理时,所述粗化电镀液的温度是介于20至40℃,电流密度是介于15至40A/dm2以及在执行所述无砷固化处理时的条件为所述固化电镀液的温度介于50至70℃,电流密度是介于2至9A/dm2。
10.如权利要求1所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,在通过所述电解方法以形成所述生箔层的步骤中,还包括:对一电解液施加电流,且所述电解液包括50至90g/L的铜离子、50至120g/L的硫酸以及浓度小于1.5ppm的氯离子。
11.如权利要求10所述的应用于高频信号传输的铜箔的制造方法,其特征在于,所述电解液的温度是介于50至80℃之间,且所述生箔层的初始晶粒尺寸是介于0.1至10μm之间。
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