[发明专利]一种有机废水的脱氮处理方法

权利要求书

1.一种有机废水的脱氮处理方法，应用于脱氮处理设备，所述脱氮处理设备包括对有机废水进行脱氮处理的反应室，其特征在于，所述反应室内填充有直径为3～5㎜，比表面积为3～5m²/g的陶粒，所述脱氮处理方法包括以下步骤：

步骤S1：对所述反应室进行生物挂膜处理，使得所述陶粒上附着有硝化微生物和反硝化微生物且通过所述反应室的有机废水总氮脱除率达到50％以上；

步骤S2：向生物挂膜处理后的所述反应室内通入待处理的有机废水；所述待处理的有机废水为薄膜晶体管液晶显示器生产过程中产生的有机废水；

步骤S3：达到预设时间后，停止通入待处理的有机废水后，向所述反应室内曝气；

重复执行步骤S2和S3；

维持待处理的有机废水的水力停留时间为8～10小时，完成脱氮处理。

2.根据权利要求1所述的脱氮处理方法，其特征在于，步骤S1具体为：

步骤S1-1：用COD值为250～300mg/L的糖类水溶液浸泡反应室中的陶粒，并向反应室中连续通入空气，所述空气的进气量为25～35L/min；

步骤S1-2：20～30小时后，测定浸泡陶粒的糖类水溶液的COD值；

若测定得到的COD值不低于所述步骤S1-1中糖类水溶液COD值的60％，则去除所述反应室中的糖类水溶液，然后返回执行步骤S1-1；

若测定得到的COD值低于所述步骤S1-1中糖类水溶液COD值的60％，则去除所述反应室中的糖类水溶液，然后执行步骤S1-3；

步骤S1-3：使薄膜晶体管液晶显示器生产过程中产生的有机废水通过所述反应室，并同时连续曝气，维持所述有机废水的水力停留为30～35小时；

逐渐增加所述有机废水的进水量，直至水力停留时间为8小时；

步骤S1-4：将薄膜晶体管液晶显示器生产过程中产生的有机废水的碳氮比调整为4～5：1，并持续通入所述反应室中，间歇曝气，直至通过反应室的有机废水总氮脱除率达到50％以上，且使得所述陶粒上附着有硝化微生物和反硝化微生物。

3.根据权利要求2所述的脱氮处理方法，其特征在于，所述步骤S1-3具体为：

使薄膜晶体管液晶显示器生产过程中产生的有机废水通过所述反应室，并同时连续曝气，维持有机废水的水力停留为30～35小时；

每2～4天增加一次所述有机废水的进水量，直至水力停留时间为8小时。

4.根据权利要求3所述的脱氮处理方法，其特征在于，所述步骤S1-3中，气水比为3～5:1；经过曝气后，所述有机废水中的溶解氧浓度为2～4mg/L。

5.根据权利要求2所述的脱氮处理方法，其特征在于，所述步骤S1-4中，每隔3～5小时曝气一次，曝气时间为3～5小时；所述曝气时，气水比为3～5:1。

6.根据权利要求2所述的脱氮处理方法，其特征在于，所述步骤S1-4中，所述有机废水的水力停留为8～10小时。

7.根据权利要求1所述的脱氮处理方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述预设时间与曝气的时间比为0.5～2:1。

8.根据权利要求7所述的脱氮处理方法，其特征在于，所述预设时间为0.5～1小时，所述曝气的时间为0.5～1小时。

9.根据权利要求1所述的脱氮处理方法，其特征在于，在执行一次步骤S2和一次步骤S3的周期内，气水比为4～5:1。

10.根据权利要求1所述的脱氮处理方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述待处理的有机废水为碳氮比为3～4：1的薄膜晶体管液晶显示器生产过程中产生的有机废水。