[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极、源极、漏极以及半导体层，其中，所述半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区分别位于所述沟道区的两侧，所述半导体层的制作材料为氧化物半导体材料；

所述薄膜晶体管还包括电阻元件，所述电阻元件的一端与所述源极区电连接，所述电阻元件的另一端与所述漏极区电连接，所述电阻元件用于增加所述薄膜晶体管的关态电流；

所述电阻元件的阻值为100M～100000MΩ/□。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述电阻元件与所述半导体层位于同一膜层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述电阻元件由所述氧化物半导体材料经导电化处理后形成。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管还包括：

第一绝缘层，位于所述半导体层和所述栅极之间；

刻蚀阻挡层，位于所述半导体层之上，所述刻蚀阻挡层在所述半导体层的正投影覆盖所述沟道区；

所述源极和所述漏极位于所述半导体层之上，其中，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管还包括：

第一绝缘层，位于所述半导体层和所述栅极之间；

第二绝缘层，位于所述栅极之上；

其中，所述源极和所述漏极位于所述第二绝缘层之上，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述源极区和所述漏极区电连接。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

制作所述薄膜晶体管的栅极；

制作所述薄膜晶体管的源极和漏极；

制作所述薄膜晶体管的半导体层，所述半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区分别位于所述沟道区的两侧，所述半导体层的制作材料为氧化物半导体材料；

制作所述薄膜晶体管的电阻元件，所述电阻元件的一端与所述源极区电连接，所述电阻元件的另一端与所述漏极区电连接；

所述电阻元件的阻值为100M～100000MΩ/□。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在制作所述薄膜晶体管的半导体层的步骤之前还包括：

制作氧化物半导体薄膜；

对所述氧化物半导体薄膜进行刻蚀，形成所述薄膜晶体管的半导体层的图形和所述电阻元件的图形。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

制作所述薄膜晶体管的电阻元件的步骤还包括：

对所述电阻元件的图形进行导电化处理。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

对所述电阻元件的图形进行导电化处理的步骤具体为：

采用He、Ar或H₂等离子体处理工艺对所述电阻元件的图形进行导电化处理。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

制作所述薄膜晶体管的栅极的步骤之后还包括：在所述栅极之上制作第一绝缘层；对所述电阻元件的图形进行导电化处理的步骤之前还包括：在所述半导体层之上制作刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层在所述半导体层的正投影覆盖所述沟道区；

对所述电阻元件的图形进行导电化处理的步骤之后还包括：

在所述半导体层之上制作所述源极和所述漏极，其中，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。