[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板。薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极以及半导体层，其中，半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，源极区和漏极区分别位于沟道区的两侧，半导体层的制作材料为氧化物半导体材料；薄膜晶体管还包括电阻元件，电阻元件的一端与源极区电连接，电阻元件的另一端与漏极区电连接，电阻元件用于增加薄膜晶体管的关态电流。在源漏极间并联一个电阻元件，适当增加了氧化物薄膜晶体管的关态电流，能够解决像素驱动电路中薄膜晶体管关态时，像素出现残影的问题，同时能够保证静电释放电路中静电及时释放。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板。

背景技术

目前显示面板主要包括两大类：LCD显示面板(Liquid Crystal Display，液晶显示面板)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板。在显示面板技术中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)是显示面板的核心部件，一般呈阵列排布制作在基板上，作为显示面板像素单元的开关器件。薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极和有源层，源极和漏极分别与有源层连接，当对栅极施加电压后，随着栅极电压增加，有源层表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层，当达到强反型时(即达到开启电压时)，有源层有载流子移动实现源极和漏极之间的导通。就结构而言，根据栅极的位置，薄膜晶体管通常分为顶栅和底栅两种结构。

薄膜晶体管中有源层的制作材料包括非晶硅材料、多晶硅材料、氧化物半导体材料等，其中，氧化物半导体薄膜晶体管成为驱动超高精细液晶面板、有机发光显示面板以及电子纸等新一代显示器的薄膜晶体管材料最佳候选之一。氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅材料或者多晶硅材料薄膜晶体管相比，具有较低的关态电流，有利于减少存储电容、降低功耗。但是由于其较低的关态电流，在应用时也会带来其他的不良影响。例如，在像素驱动电路中，关态电流过小会导致显示画面出现残影；静电释放电路中，关态电流过小会导致静电无法及时释放。总之，关态电流过小会对显示面板的性能可靠性产生一定影响。

因此，提供一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板，适当增大关态电流提高性能可靠性是本领域亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板，解决了提高性能可靠性的技术问题。

第一方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种薄膜晶体管，包括：

栅极、源极、漏极以及半导体层，其中，半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，源极区和漏极区分别位于沟道区的两侧，半导体层的制作材料为氧化物半导体材料；

薄膜晶体管还包括电阻元件，电阻元件的一端与源极区电连接，电阻元件的另一端与漏极区电连接，电阻元件用于增加薄膜晶体管的关态电流。

第二方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

制作薄膜晶体管的栅极；

制作薄膜晶体管的源极和漏极；

制作薄膜晶体管的半导体层，半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，源极区和漏极区分别位于沟道区的两侧，半导体层的制作材料为氧化物半导体材料；

制作薄膜晶体管的电阻元件，电阻元件的一端与源极区电连接，电阻元件的另一端与漏极区电连接。

第三方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种阵列基板，包括本发明提出的任意一种薄膜晶体管。

与现有技术相比，本发明的薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板，实现了如下的有益效果：