[发明专利]晶体管、显示基板、显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括半导体结构，其特征在于，所述晶体管还包括栅电极和设置在所述栅电极和所述半导体结构之间的绝缘体，所述半导体结构包括：

源极区和漏极区；

沟道区，位于所述源极区和所述漏极区之间，被构造为在所述晶体管的开态下提供所述源极区和所述漏极区之间的载流子迁移通路，所述沟道区的每一部分均与所述栅电极重叠；

俘获区，至少部分地嵌入所述沟道区，被构造为在所述晶体管的关态下俘获在所述源极区和所述漏极区之间迁移的载流子；

其中，所述源极区、所述漏极区以及所述俘获区均为同样的N型重掺杂。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述俘获区将所述沟道区分隔为至少两个相互分离的子沟道区。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述俘获区包括至少两个相互分离的子俘获区，所述至少两个相互分离的子俘获区分别嵌入所述沟道区。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极区和所述漏极区中的至少一个与所述俘获区之间具有相同的半导体基质材料和掺杂状态。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极区、所述漏极区、所述沟道区和所述俘获区的半导体基质材料相同。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体结构为单层的半导体材料薄膜，所述源极区、所述漏极区、所述沟道区和所述俘获区各自占据所述半导体材料薄膜的一部分。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体结构包括依次层叠的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层，所述沟道区位于所述第一半导体层和所述第三半导体层中，所述俘获区位于所述第二半导体层中，所述源极区和所述漏极区位于所述第四半导体层中。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述第一半导体层和所述第三半导体层被所述第二半导体层分隔在两侧。

9.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，至少部分所述第二半导体层位于所述源极区和所述第一半导体层之间，和/或，至少部分所述第二半导体层位于所述漏极区和所述第一半导体层之间。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述沟道区为未经掺杂的氢化非晶硅材料，所述源极区、所述漏极区以及所述俘获区均为N型重掺杂的氢化非晶硅材料。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

电连接到所述源极区的源电极；以及，

电连接到所述漏极区的漏电极。

12.一种显示基板，其特征在于，包括至少一个如权利要求1至11中任意一项所述的晶体管。

13.一种显示装置，其特征在于，包括至少一个如权利要求12所述的显示基板，或者至少一个如权利要求1至11中任意一项所述的晶体管。

14.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极导电层，所述栅极导电层包括栅电极；

在所述基板和所述栅极导电层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成半导体图案；

其中，所述半导体图案包括：

源极区和漏极区；

沟道区，位于所述源极区和所述漏极区之间，被构造为在晶体管的开态下提供所述源极区和所述漏极区之间的载流子迁移通路，所述沟道区的每一部分均与所述栅电极重叠；

俘获区，至少部分地嵌入所述沟道区，被构造为在所述晶体管的关态下俘获在所述源极区和所述漏极区之间迁移的载流子；

其中，所述源极区、所述漏极区以及所述俘获区均为同样的N型重掺杂。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，

所述形成半导体图案，包括：

形成半导体材料层；

在所述半导体材料层上形成掩膜层，所述掩膜层的布置区域与所述半导体图案的布置区域重合，所述掩膜层在与所述源极区、所述漏极区以及所述俘获区对应的区域内具有第一厚度，所述掩膜层在与所述沟道区对应的区域内具有第二厚度，所述第一厚度小于第二厚度；

去除未被所述掩膜层覆盖的半导体材料层；

去除所述掩膜层中具有第一厚度的部分；

对未被所述掩膜层覆盖的半导体材料层进行掺杂；

去除所述掩膜层的剩余部分；

或者，

所述形成半导体图案，包括：

由所述沟道区的形成材料形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上由所述俘获区的形成材料形成第二半导体层；

在所述第二半导体层上由所述沟道区的形成材料形成第三半导体层；

在所述第三半导体层上由所述源极区和所述漏极区的形成材料形成第四半导体层；

去除所述半导体图案的布置区域以外的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层；

形成源漏导电层；

以所述源漏导电层为掩膜，去除上方没有所述源漏导电层的第四半导体层、第三半导体层和第二半导体层。