[发明专利]一种散热型光伏背板及其制备方法有效
申请号: | 201810002402.3 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN108183146B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 南通北外滩建设工程有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/18;B32B15/082;B32B27/30;B32B27/18;B32B15/09;B32B15/08;B32B27/36;B32B27/28;B32B3/06;B32B7/12;B32B7/08;B32B33/00 |
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地址: | 226100 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属基板 背板 光伏 制备 散热型 氟树脂 耐候层 干燥处理 光伏组件 散热性能 依次层叠 柱状凸起 热压合 上表面 下表面 粘结剂 涂刷 | ||
本发明提供一种散热型光伏背板及其制备方法。该散热型光伏背板的制备方法包括:1)在第一金属基板和第三金属基板中分别形成多个过孔,在第二金属基板的上表面和下表面分别形成多个柱状凸起;2)在氟树脂外耐候层、PET层、PEN层以及EVA层各自的表面分别涂刷粘结剂,并进行干燥处理;3)依次层叠氟树脂外耐候层、第一金属基板、PET层、第二金属基板、PEN层、第三金属基板以及EVA层;4)进行热压合处理,以得到所述光伏背板。该方法制备的光伏背板具有优异的散热性能,进而可以提高相应光伏组件的稳定性。
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域,特别是涉及一种散热型光伏背板及其制备方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池由于效率高、制造工艺成熟而得到广泛的应用。相应的晶体硅太阳能组件通常包括钢化玻璃、胶层、电池片层、胶层以及太阳能电池电池背板,太阳能电池背板位于太阳能电池组件的背面,对电池片起保护和支撑作用,具有可靠的绝缘性、阻水性、耐老化性。太阳能电池背板通常是一种多层复合材料,一般具有三层结构,外层保护层具有良好的抗环境侵蚀能力,中间层具有良好的绝缘性能,内层和太阳能电池组件的胶层具有良好的粘接性能。太阳能电池组件的温度升高将严重影响电池片的光电转换效率,导致电池片的效率大幅度下降,所以太阳能电池背板散热性能的优劣将影响太阳能电池片的转换效率和使用寿命。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种散热型光伏背板及其制备方法。
为实现上述目的,本发明提出的一种散热型光伏背板的制备方法,包括以下步骤:
1)在第一金属基板和第三金属基板中分别形成多个过孔,在第二金属基板的上表面和下表面分别形成多个柱状凸起;
2)在氟树脂外耐候层的一面以及EVA层的一面分别涂刷粘结剂,在PET层以及PEN层各自的上表面和下表面分别涂刷粘结剂,并进行干燥处理;
3)在所述第一金属基板的下表面铺设所述氟树脂外耐候层,在所述第一金属基板的上表面铺设PET层,接着在所述PET层上铺设所述第二金属基板,接着在所述第二金属基板的上表面铺设PEN层,接着在所述PEN层上铺设所述第三金属基板,接着在所述第三金属基板的上表面铺设EVA层,其中,所述氟树脂外耐候层中涂刷有粘结剂的一面朝向第一金属基板的下表面,所述EVA层中涂刷有粘结剂的一面朝向第三金属基板的上表面,所述第二金属基板的下表面的多个柱状凸起与所述第一金属基板的多个过孔分别一一对应,所述第二金属基板的上表面的多个柱状凸起与所述第三金属基板的多个过孔分别一一对应;
4)进行热压合处理,所述金属基板的下表面的柱状凸起穿过所述PET层而嵌入所述第一金属基板的相应的过孔中,所述金属基板的上表面的柱状凸起穿过所述PEN层而嵌入所述第三金属基板的相应的过孔中,所述氟树脂外耐候层的一部分嵌入所述第一金属基板的多个过孔中,所述EVA层的一部分嵌入所述第三金属基板的多个过孔中,以得到所述散热型光伏背板。
作为优选的,所述第一金属基板和所述第三金属基板中的多个过孔呈矩阵排列,所述第二金属基板的上表面和下表面的多个柱状凸起呈矩阵排列,所述过孔的直径为3-5毫米,相邻过孔之间的间距为5-10毫米,所述柱状凸起的直径为3-5毫米,相邻柱状凸起之间的间距为5-10毫米。
作为优选的,所述步骤2)中的所述干燥处理的温度为80-110℃以及时间为50-90秒。
作为优选的,所述步骤3)中,所述第一金属基板、第二金属基板和第三金属基板中设置有对准标识。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的