[发明专利]一种微型发光二极管转印方法及阵列基板

权利要求书

1.一种微型发光二极管转印方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阵列基板的有机层上形成光刻胶层，并在待转印位置形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在垂直于光刻胶层的截面为贯穿所述光刻胶层的开口，所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于或等于待转印的发光元件的尺寸，且所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于所述开口邻近所述有机层一侧的尺寸；

将携带有所述待转印的发光元件的转移基板与所述阵列基板对位，并向所述转移基板施加压力，以使所述发光元件与所述开口卡合；

移除所述转移基板，以使所述待转印的发光元件转印至所述阵列基板。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在将携带有所述待转印的发光元件的转移基板与所述阵列基板对位之前，所述方法还包括：

将所述待转印的发光元件与衬底基板分离，并将所述待转印的发光元件固定在所述转移基板上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在阵列基板的有机层的待转印位置形成光刻胶图形之后，且在向所述转移基板施加压力之前，所述方法还包括：软化所述有机层；

在向所述转移基板施加压力之后，且移除所述转移基板之前，所述方法还包括：固化所述有机层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述软化所述有机层，具体包括：加热软化所述有机层；

所述固化所述有机层，具体包括：加热固化所述有机层，或者利用紫外光照射固化所述有机层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口呈梯形；所述在阵列基板的有机层上形成光刻胶层，并在待转印位置形成光刻胶图形，具体包括：

在所述阵列基板的有机层上涂覆负性光刻胶；

采用掩膜板进行曝光、显影，在所述有机层的待转印位置形成光刻胶图形。

6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在移除所述转移基板之后，所述方法还包括：剥离所述光刻胶层。

7.一种阵列基板，包括基底和形成在所述基底上的有机层和发光元件，其特征在于，还包括形成在所述有机层上的光刻胶层，所述光刻胶层在待转印位置具有光刻胶图形，所述光刻胶图形在垂直于光刻胶层的截面为贯穿所述光刻胶层的开口，所述发光元件位于所述开口内，所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于所述开口邻近所述有机层一侧的尺寸，且在所述发光元件转印至所述阵列基板之前，所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于或等于所述发光元件的尺寸。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述开口呈梯形。

9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述光刻胶层的厚度小于所述发光元件的厚度。

10.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述发光元件为微型发光二极管。