[发明专利]一种微型发光二极管转印方法及阵列基板

说明书

本发明提供一种微型发光二极管转印方法及阵列基板，通过在阵列基板的有机层上形成包括上小下大的开口的光刻胶图形，该开口的上边缘的尺寸小于或等于待转印的发光元件的尺寸，这样，在将携带有待转印的发光元件的转移基板与阵列基板对位后，通过向转移基板施加压力，可以将待转印的发光元件牢固卡合在该开口内，从而增加待转印的发光元件在阵列基板上的附着性，在移除转移基板的过程中，降低待转印的发光元件被转移基板带走的风险，增加转印成功率，提高产品良率，避免产生暗点不良。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种微型发光二极管转印方法及阵列基板。

背景技术

Micro LED(微型发光二极管)是将LED结构进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～10μm等级左右。Micro LED面板可以采用转印工艺，即Thin Film Transfer(薄膜转移)工艺制备。具体的，首先，形成微米等级的Micro LED磊晶薄膜结构，并以一暂时基板(即转移基板)承载LED磊晶薄膜结构。然后，根据驱动电路基板上所需的像素间距，利用转移基板将Micro LED磊晶薄膜结构进行批量转移，使其键接于驱动电路基板(即阵列基板)上形成像素。

然而，现有的转印工艺在转移Micro LED时，Micro LED与阵列基板之间的附着性较差，Micro LED容易被转移基板带走，转印成功率低，而且会在阵列基板上相应位置形成坏点，造成暗点不良的显示缺陷，降低产品良率。

因此亟需一种微型发光二极管转印方法及阵列基板以解决上述问题。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种微型发光二极管转印方法及阵列基板，用以至少部分解决现有转印工艺中Micro LED转印成功率低，易产生暗点不良的问题。

本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：

本发明提供一种微型发光二极管转印方法，包括以下步骤：

在阵列基板的有机层上形成光刻胶层，并在待转印位置形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在垂直于光刻胶层的截面为贯穿所述光刻胶层的开口，所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于或等于待转印的发光元件的尺寸，且所述开口远离所述有机层一侧的尺寸小于所述开口邻近所述有机层一侧的尺寸；

将携带有所述待转印的发光元件的转移基板与所述阵列基板对位，并向所述转移基板施加压力，以使所述发光元件与所述开口卡合；

移除所述转移基板，以使所述待转印的发光元件转印至所述阵列基板。

进一步的，在将携带有所述待转印的发光元件的转移基板与所述阵列基板对位之前，所述方法还包括：

将所述待转印的发光元件与衬底基板分离，并将所述待转印的发光元件固定在所述转移基板上。

进一步的，在阵列基板的有机层的待转印位置形成光刻胶图形之后，且在向所述转移基板施加压力之前，所述方法还包括：软化所述有机层；

在向所述转移基板施加压力之后，且移除所述转移基板之前，所述方法还包括：固化所述有机层。

优选的，所述软化所述有机层，具体包括：加热软化所述有机层；

所述固化所述有机层，具体包括：加热固化所述有机层，或者利用紫外光照射固化所述有机层。

优选的，所述开口呈梯形；所述在阵列基板的有机层上形成光刻胶层，并在待转印位置形成光刻胶图形，具体包括：

在所述阵列基板的有机层上涂覆负性光刻胶；

采用掩膜板进行曝光、显影，在所述有机层的待转印位置形成光刻胶图形。

进一步的，在移除所述转移基板之后，所述方法还包括：剥离所述光刻胶层。