[发明专利]阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法有效
申请号: | 201810002772.7 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN108257974B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 张鹏曲;孙宝庆;田露 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 以及 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底上限定出显示区以及非显示区;
多个连接端以及金属结构,所述连接端以及所述金属结构设置在所述非显示区中;以及
防静电保护层,所述防静电保护层设置在所述非显示区中,
以及其中,所述防静电保护层覆盖所述金属结构远离所述衬底一侧且未被其他结构覆盖的表面,以及所述连接端远离所述衬底一侧表面的至多一部分;
所述金属结构包括与源漏电极线相连的源漏端,所述防静电保护层覆盖所述源漏端远离所述衬底一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括:
平坦化层,所述平坦化层设置在薄膜晶体管的源漏电极远离所述衬底的一侧,
所述防静电保护层是由所述平坦化层延伸至所述非显示区而形成的。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦化层是由树脂材料形成的。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述防静电保护层覆盖与薄膜晶体管电性相连的所述金属结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述金属结构包括与栅极线相连的栅极端,所述栅极端远离所述衬底一侧的表面覆盖有栅绝缘层。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
7.一种制备阵列基板的方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底上限定出显示区以及非显示区;
形成多个连接端以及金属结构,所述连接端以及所述金属结构设置在所述非显示区中;以及
设置防静电保护层,所述防静电保护层设置在所述非显示区中,所述防静电保护层覆盖所述金属结构远离所述衬底一侧且未被其他结构覆盖的表面,以及所述连接端远离所述衬底一侧表面的至多一部分;
所述金属结构包括与源漏电极线相连的源漏端,所述防静电保护层覆盖所述源漏端远离所述衬底一侧的表面。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,形成多个连接端以及金属结构包括:
沉积金属层,并通过第一构图工艺,基于所述金属层形成所述多个连接端以及所述金属结构。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述阵列基板进一步包括设置在所述显示区中的平坦化层,所述防静电保护层是通过以下步骤实现的:
形成所述多个连接端以及所述金属结构之后,在所述衬底上设置树脂层,所述树脂层覆盖所述显示区并延伸至所述非显示区中;
通过第二构图工艺,基于所述树脂层形成所述平坦化层以及所述防静电保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的