[发明专利]阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法

说明书

本发明公开了阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法。具体的，本发明提出了一种阵列基板，包括：衬底，所述衬底上限定出显示区以及非显示区；多个连接端以及金属结构，所述连接端以及所述金属结构设置在所述非显示区中；以及防静电保护层，所述防静电保护层设置在所述非显示区中，以及其中，所述防静电保护层覆盖所述金属结构远离所述衬底一侧且未被其他结构覆盖的表面，以及所述连接端远离所述衬底一侧表面的至多一部分。由此，该防静电保护层可以防止阵列基板的非显示区在刻蚀过程中产生静电积累，进而避免了该积累的静电传递到显示区影响显示区的性能，从而提高了该阵列基板的性能以及产品良率。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地，涉及阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法。

背景技术

近年来，薄膜晶体管液晶显示器(Thin film Transistor liquid crystaldisplay，TFT-LCD)因其体积小、功耗低、无辐射等优点被广泛应用于电视、手机、笔记本电脑以及手持终端设备等领域。TFT-LCD主要由显示屏、驱动电路和背光源三大核心部件组成，其中，显示屏的工作原理是在平行设置的阵列基板和彩色滤光片基板当中放置液晶分子，通过在阵列基板和彩色滤光片基板之间施加电压来控制液晶分子改变方向，将背光源的光线折射出来产生画面。薄膜晶体管(Thin film Transistor，TFT)基板，即阵列基板，作为显示屏的核心部件，其性能显得尤为重要。

然而，目前的阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对以下事实的发现和认识而作出的：

发明人发现，目前的阵列基板普遍存在抗静电能力不足以及产品良率较低的问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由阵列基板的非显示区在制造过程中容易产生静电积累，该积累的静电容易传递到显示区，并引起静电放电现象(ESD)造成的。随着生产工艺的复杂化，阵列基板在制造过程中所经过的设备也在增加，同时产品受到静电击穿的概率也越来越大。目前的阵列基板，需要在最上面覆盖一层树脂，以满足平整性以及装配需求，但通常要将覆盖在阵列基板非显示区的树脂掏空(通过构图工艺刻蚀去除)，以便非显示区中的各连接端和金属结构与驱动电路连接、方便后续测试等。由于此设计，在该阵列基板的制备过程，对树脂等结构进行刻蚀(特别是干法刻蚀)时，该区域的连接端和金属结构完全暴露在刻蚀设备中，因此非显示区的连接端和金属结构容易产生静电积累。上述部分结构与显示区内的电路相连，因此该处积累的静电可传递到显示区内，进而引起显示区的ESD，造成显示区的源漏电极线短路，产生亮线，降低了产品良率。因此，如果能提出一种方法可以防止非显示区在刻蚀过程中产生静电积累，将在很大程度上解决上述问题。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种阵列基板。该阵列基板包括衬底，所述衬底上限定出显示区以及非显示区；多个连接端以及金属结构，所述连接端以及所述金属结构设置在所述非显示区中；以及防静电保护层，所述防静电保护层设置在所述非显示区中，以及其中，所述防静电保护层覆盖所述金属结构远离所述衬底一侧且未被其他结构覆盖的表面，以及所述连接端远离所述衬底一侧表面的至多一部分。由此，该防静电保护层可以防止阵列基板，特别是非显示区在刻蚀过程中产生静电积累，进而避免了该积累的静电传递到显示区影响显示区的性能，从而提高了该阵列基板的性能以及产品良率。

根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：平坦化层，所述平坦化层设置在薄膜晶体管的源漏电极远离所述衬底的一侧，所述防静电保护层是由所述平坦化层延伸至所述非显示区而形成的。由此，可以使该阵列基板的表面更加平整，并且可以简便地制得所述防静电保护层。

根据本发明的实施例，所述平坦化层是由树脂材料形成的。树脂材料透过率好、响应速度快、平坦性好，并且来源丰富，价格低廉，因此，进一步提高了该阵列基板的使用性能并且降低了生产成本。