[发明专利]一种叠层钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上从里至外依次附着第一发光单元、电荷产生层、第二发光单元、阴极电极；

所述第一发光单元从里至外依次附着第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；所述第二发光单元从里至外依次附着第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。

2.根据权利要求1所述的一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述电荷产生层由P型有机半导体和N型有机半导体蒸镀组成。

3.根据权利要求1所述的一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述第一发光层和第二发光层均为具有钙钛矿结构的发光材料，钙钛矿结构为ABX3型立方晶系结构；其中A为有机胺基团，B为第四主族金属，X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。

4.根据权利要求1所述的一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述电荷产生层中N型有机半导体与第一电子传输层的最低非占据轨道(LUMO)之间的能级差(ΔE)为1.0～3.0电子伏特，并且P型有机半导体与第二空穴传输层的最高占据轨道(HOMO)之间的能级差为0～1.0电子伏特；所述电荷产生层中P性有机半导体或N型有机半导体吸收峰所在的波段与第一发光层或第二发光层的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm～100nm，且在所述波段光的照射下能够产生光生激子。

5.根据权利要求1所述的一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述第一空穴传输层的材料为聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、聚乙烯基咔唑、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]的任意一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述第二电子传输层的材料为[6,6]-苯基C61丁酸甲酯或者[6,6]-苯基C71丁酸甲酯的一种或两种的组合。

7.根据权利要求1所述的一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述第二空穴输层的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物或聚合物材料中的一种或多种的组合。

8.根据权利要求1所述的一种叠层钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述第二电子传输层的材料为金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氮杂环化合物、蒽类化合物、有机硅材料、有机硼材料或者有机硫材料中的一种或多种的组合。

9.一种叠层钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将ITO玻璃衬底进行清洗，清洗后进行吹干；其中，利用丙酮、去离子水和乙醇溶液对衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；

步骤2：将清洗后的ITO玻璃衬底用UV预处理，传送至手套箱依次进行第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层的制备，得到基片；

步骤3：将基片移入真空镀膜室中依次电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、阴极电极的制备，制得器件；

步骤4：将器件在手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；

步骤5：测试有机电致发光器件的电流-电压-亮度特性曲线以及在器件不同电压下的电致发光光谱特性。

10.根据权利要求10所述的一种叠层钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述空穴传输层、发光层、电子传输层是通过旋涂制备，步骤3中，所述电荷产生层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极是通过真空蒸镀制备。