[发明专利]一种叠层钙钛矿发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种叠层钙钛矿发光二极管，其中，包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上从里至外依次附着第一发光单元、电荷产生层、第二发光单元、阴极电极；所述第一发光单元从里至外依次附着第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一电子注入层；所述第二发光单元从里至外依次附着第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二电子注入层。本发明所提供的叠层钙钛矿发光二极管，在提高亮度的同时提高电流效率，使器件重复性更好。在显示等实际应用中特别有利。

技术领域

本发明涉及电致发光器件技术领域，具体涉及一种叠层钙钛矿发光二极管及其制备方法。

背景技术

金属卤化物钙钛矿材料可以用化学式MAPbBr3来表示，其中X为Br，I，和Cl，这类材料具有优异的光电特性，可被广泛应用于太阳能电池、光探测器和发光二极管等光电器件。基于钙钛矿的发光二极管具有发光纯度高，发射效率高和激发能量低等特点，因而有可能成为替代无机量子点和传统的有机发光材料的新型发光材料。

例如申请号201610635175.9的发明专利公开了一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法；例如申请号为201610083290.X的发明专利公开了一种基于钙钛矿材料的发光二极管及其制备方法。

然后常规的单层钙钛矿发光器件面临钙钛矿成膜质量较差，漏电流偏大，造成器件效率较低、寿命较短，稳定性不佳等缺点，因此，很有必要进一步优化器件结构来提升器件性能。

发明内容

本发明的目的在于解决现有单层钙钛矿发光二极管由于钙钛矿成差所导致的漏电流，极易导致器件击穿损坏的问题，而提供一种叠层钙钛矿发光二极管及其制备方法，能够实现高亮度、高效率的发光，同时使器件更加稳定。

本发明采用的技术方案如下：

一种叠层钙钛矿发光二极管，其中，包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上从里至外依次附着第一发光单元、电荷产生层、第二发光单元、阴极电极；所述第一发光单元从里至外依次附着第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；所述第二发光单元从里至外依次附着第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。

所述电荷产生层由P型有机半导体和N型有机半导体蒸镀组成。

所述第一发光单元采用旋涂的工艺制备，所述第二发光单元采用蒸镀的工艺制备。

所述发光层为具有钙钛矿结构的发光材料，钙钛矿结构为有机/无机杂化ABX3型立方晶系结构；其中A为有机胺基团，B为第四主族金属，X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。

所述电荷产生层中N型有机半导体与第一电子传输层的最低非占据轨道(LUMO)之间的能级差(ΔE)为1.0～3.0电子伏特，并且P型有机半导体与第二空穴传输层的最高占据轨道(HOMO)之间的能级差为0～1.0电子伏特；

所述电荷产生层中P性有机半导体或N型有机半导体吸收峰所在的波段与第一发光层或第二发光层的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm～100nm，

所述第一空穴传输层的材料为聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、聚乙烯基咔唑、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]的任意一种或多种的组合。

所述第二电子传输层的材料为[6,6]-苯基C61丁酸甲酯或者[6,6]-苯基C71丁酸甲酯的一种或两种的组合。

所述第二空穴输层的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物或聚合物材料中的一种或多种的组合。