[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置、薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成半导体层，所述半导体层包括位于显示区域的有源层图案和位于GOA区的半导体图案；

在所述半导体层上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；所述第一金属层包括位于所述显示区域的栅极和位于所述GOA区的第一金属图案；其中，所述栅极的数量为两个；所述第二金属层包括位于所述显示区域的源漏极和位于所述GOA区的第二金属图案；所述第一绝缘层包括位于所述显示区域的栅绝缘层和位于所述GOA区的第一绝缘图案；所述第二绝缘层包括位于所述显示区域的层间介电层和位于所述GOA区的第二绝缘图案；其中，所述源漏极穿过所述栅绝缘层和所述层间介电层上的过孔与所述有源层图案电连接；所述第二金属图案穿过所述第二绝缘图案和所述第一绝缘图案上的过孔与所述半导体图案电连接；

在形成所述半导体层之后，形成所述第一绝缘层之前，所述制备方法还包括：

对所述有源层图案进行第三次掺杂；

在形成半导体层之后，形成第二绝缘层之前，所述制备方法还包括：

在所述有源层图案上形成光刻胶图案；沿栅极的宽度方向，所述栅极在所述有源层图案上正投影的边界位于所述光刻胶图案在所述有源层图案上正投影的边界以内，且所述光刻胶图案在所述有源层图案上的正投影与所述有源层图案的源极接触区和漏极接触区无重叠区域；

对所述有源层图案的源极接触区和漏极接触区进行第一次掺杂；所述第一次掺杂是指以所述光刻胶图案为掩膜对所述有源层图案进行掺杂；所述光刻胶图案的数量与所述栅极的数量相同；

剥离所述光刻胶图案；

在形成所述第一金属层之后，形成所述第二绝缘层之前，所述制备方法还包括：

以所述栅极为掩膜，对所述有源层图案进行第二次掺杂，所述第二次掺杂的掺杂浓度小于所述第一次掺杂的掺杂浓度；所述第三次掺杂的掺杂浓度小于所述第二次掺杂的掺杂浓度；所述第三次掺杂的掺杂类型与所述第一次掺杂的掺杂类型相反；

所述第一次掺杂的掺杂区域是指以所述光刻胶图案为掩膜对所述有源层图案进行掺杂的区域；

所述第二次掺杂的掺杂区域是指第一次掺杂的掺杂区域与有源层图案中与栅极正对的区域之间的区域；

所述第三次掺杂的掺杂区域是指所述有源层图案所在的区域；

所述有源层图案经过所述第三次掺杂、所述第一次掺杂和所述第二次掺杂后，所述有源层图案中对应两个所述栅极之间的区域依次包括所述第二次掺杂的掺杂区域的部分区域、所述第一次掺杂的掺杂区域的部分区域、所述第二次掺杂的掺杂区域的部分区域。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述有源层图案的源极接触区和漏极接触区进行第一次掺杂的步骤是在形成所述第一绝缘层之前完成的。